[发明专利]研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置有效

专利信息
申请号: 201310266341.9 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN104249290A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 龚大伟 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24B37/27 分类号: B24B37/27;B24B37/34
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 研磨 设备 具有 第二 阻流环 缓冲 装置
【权利要求书】:

1.一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置,从上而下依次设置有相应连接的缓冲台(10)、基座(20)、台板(30)及平台(40),所述平台(40)中有多个轴承(42)穿过台板(30)布置;通过相应管道(50)输送到基座(20)中心导流孔处的液体,能够在基座(20)表面上由第一阻流环(21)限定的范围内流动,进而向上通过缓冲台(10)中间位置的大量通孔,流动到缓冲台(10)的上方,对放置在缓冲台(10)上的晶圆表面进行相应处理;所述基座(20)与所述缓冲台(10)的周边对应设置有多对用来连接两者的第一连接孔(61),所述基座(20)与所述台板(30)的周边对应设置有多对用来连接两者的第二连接孔(62);其特征在于,所述基座(20)表面上还设置有至少一个阻止液体从基座(20)的边缘流入所述第二连接孔(62)的第二阻流环(22),以阻止液体通过所述第二连接孔(62)流动到基座(20)下方的台板(30)及轴承(42)处。

2.如权利要求1所述的缓冲台装置,其特征在于,

在所述的基座(20)上,各个第二连接孔(62)位于第一阻流环(21)的外侧,第二阻流环(22)进一步设置在各个第二连接孔(62)的外侧,从而由所述第一阻流环(21)来防止液体从基座(20)的中心流入所述第二连接孔(62),而由所述第二阻流环(22)来防止液体从基座(20)的边缘流入所述第二连接孔(62)。

3.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,

所述的基座(20)上,各个第一连接孔(61)位于所述第二阻流环(22)的外侧。

4.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,

所述的基座(20)上,设置有多个同圆心布置的第二阻流环(22)。

5.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,

所述第二阻流环(22)是O型环。

6.如权利要求1~5中任意一项所述的缓冲台装置,其特征在于,

所述基座(20)上开设有匹配的凹槽来嵌入安装所述的第二阻流环(22)。

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