[发明专利]研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置有效
| 申请号: | 201310266341.9 | 申请日: | 2013-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN104249290A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
| 发明(设计)人: | 龚大伟 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/27 | 分类号: | B24B37/27;B24B37/34 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 设备 具有 第二 阻流环 缓冲 装置 | ||
1.一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置,从上而下依次设置有相应连接的缓冲台(10)、基座(20)、台板(30)及平台(40),所述平台(40)中有多个轴承(42)穿过台板(30)布置;通过相应管道(50)输送到基座(20)中心导流孔处的液体,能够在基座(20)表面上由第一阻流环(21)限定的范围内流动,进而向上通过缓冲台(10)中间位置的大量通孔,流动到缓冲台(10)的上方,对放置在缓冲台(10)上的晶圆表面进行相应处理;所述基座(20)与所述缓冲台(10)的周边对应设置有多对用来连接两者的第一连接孔(61),所述基座(20)与所述台板(30)的周边对应设置有多对用来连接两者的第二连接孔(62);其特征在于,所述基座(20)表面上还设置有至少一个阻止液体从基座(20)的边缘流入所述第二连接孔(62)的第二阻流环(22),以阻止液体通过所述第二连接孔(62)流动到基座(20)下方的台板(30)及轴承(42)处。
2.如权利要求1所述的缓冲台装置,其特征在于,
在所述的基座(20)上,各个第二连接孔(62)位于第一阻流环(21)的外侧,第二阻流环(22)进一步设置在各个第二连接孔(62)的外侧,从而由所述第一阻流环(21)来防止液体从基座(20)的中心流入所述第二连接孔(62),而由所述第二阻流环(22)来防止液体从基座(20)的边缘流入所述第二连接孔(62)。
3.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,
所述的基座(20)上,各个第一连接孔(61)位于所述第二阻流环(22)的外侧。
4.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,
所述的基座(20)上,设置有多个同圆心布置的第二阻流环(22)。
5.如权利要求2所述的缓冲台装置,其特征在于,
所述第二阻流环(22)是O型环。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的缓冲台装置,其特征在于,
所述基座(20)上开设有匹配的凹槽来嵌入安装所述的第二阻流环(22)。
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