[发明专利]一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310264476.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367575A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 热稳定性 半导体 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构，其特征在于：所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素，其中铋元素的含量为0.005-0.1。
2.一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构制备方法，包括生长势垒层和势阱层，其特征在于：所述势垒层的生长过程中加入铋元素。
3.一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构的制备方法，其特征在于：所述的提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构为改进的GaAs衬底上GaAsBi量子阱结构，其势垒层由传统的AlGaAs改为AlGaAsBi，制备方法包括：
（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；
（2）生长AlGaAsBi势垒层；
（3）生长GaAsBi势阱层；
（4）继续重复生长N-1个周期的AlGaAsBi势垒层和GaAsBi势阱层，其中1≤N≤5；
（5）最后再生长AlGaAsBi势垒层，即可。
4.根据权利要求3所述的一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构的制备方法，其特征在于：所述的AlGaAsBi为AlGaAsBix，其中0.005≤x≤0.1。
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