[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310263553.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103345979A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张大勇;金智;史敬元;麻芃 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；
利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；
将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和高温条件下进行还原处理，使氧化石墨烯还原为石墨烯。
2.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积方法生长石墨烯的生长条件为：生长温度为900-1070℃，所用气体为CH4和H2的混合气，气体流量分别为2-50sccm和5-100sccm，生长时间为2-30分钟。
3.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯的步骤具体包括：将生长有石墨烯的金属箔浸入氧化石墨烯分散液中作为正电极，使用导电材料作为负电极，在正负两个电极间施加直流电压，直流电压为2-50V，电沉积时间为0.5-5分钟。
4.如权利要求3所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电材料包括石墨、铂和不锈钢。
5.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述保护气包括Ar、N2和H2中的一种或几种。
6.如权利要求5所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述保护气为H2和Ar的混合气，气体流量分别为1-50sccm和1-100sccm。
7.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述高温条件下进行还原处理的还原条件为：温度为800-1050℃，还原时间为3-20分钟。
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