[发明专利]太阳能电池与其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池与其制作方法。

背景技术

近几年来，由于世界各地的原油存量逐年的减少，能源问题已成为全球注目的焦点。为了解决能源耗竭的危机，各种替代能源的发展与利用实为当务之急。随着环保意识抬头，加上太阳能具有零污染、以及取之不尽用之不竭的优点，太阳能已成为相关领域中最受瞩目的焦点。因此，在日照充足的位置，例如建筑物屋顶、广场等等，愈来愈常见到太阳能面板的装设。

随着太阳能电池产业的发展，如何提升太阳能电池的发电效率以及降低其生产成本，便成为一个重要的课题。

发明内容

本发明提供了一种太阳能电池的制作方法，通过减少光阻的用量，以降低太阳能电池的生产成本。

本发明另外提供了一种太阳能电池，通过有效控制电极的线宽，以提升太阳能电池的发电效率。

本发明的一态样为一种太阳能电池的制作方法，包含提供基板；形成透明导电层于基板的表面；形成多个光阻图案于透明导电层上；形成介电层覆盖光阻图案以及透明导电层上，其中光阻图案的侧壁部分外露于介电层；移除光阻图案与覆盖于光阻图案上的部分介电层，以在保留下来的另一部分介电层上形成多个开口；以及形成多个电极于开口中。

在本发明的一或多个实施例中，太阳能电池的制作方法更包含在形成光阻图案的步骤之前形成种子导体层于透明导电层上，其中电极为形成于种子导体层上。

在本发明的一或多个实施例中，电极的侧壁实质上垂直于透明导电层。

在本发明的一或多个实施例中，太阳能电池的制作方法，更包含在形成电极之后移除介电层。

在本发明的一或多个实施例中，形成电极的步骤为利用电镀工艺将电极形成于开口中。

在本发明的一或多个实施例中，基板包含N型单晶硅层、分别形成于N型单晶硅层的相对两表面的第一异质介面层与第二异质介面层、形成于第一异质介面层上的P型非晶硅层，以及形成于第二异质介面层上的N型非晶硅层。

在本发明的一或多个实施例中，透明导电层形成于P型非晶硅层及/或N型非晶硅层上。

本发明的另一态样提供了一种太阳能电池，包含基板、设置于基板上的透明导电层、设置于透明导电层上的介电层，以及多个电极。介电层具有多个开口以及分别围绕于开口的多个隆起部。电极则是分别设置于开口中，其中隆起部的高度分别从电极起向外递减。

在本发明的一或多个实施例中，电极的侧壁实质上垂直于透明导电层。

在本发明的一或多个实施例中，基板包含N型单晶硅层、分别形成于N型单晶硅层的相对两表面的第一异质介面层与第二异质介面层、形成于第一异质介面层上的P型非晶硅层，以及形成于第二异质介面层上的N型非晶硅层。

在本发明的一或多个实施例中，透明导电层为形成于P型非晶硅层及/或N型非晶硅层。

在本发明的一或多个实施例中，电极的材料较佳为铜，电极的高度约为5微米(μm)。

在本发明的一或多个实施例中，太阳能电池更包含多个种子导体层，形成于电极与基板之间。

在本发明的一或多个实施例中，种子导体层的材料较佳为铜，种子导体层的厚度约为0.1微米(μm)。

本发明于制作太阳能电池时，光阻仅形成在电极的预定区域，可以有效减少光阻的使用量，降低成本以及环境污染。除此之外，由于作为电极的电极在介电层的开口中成长，因此，电极的形状会受到开口的限制，如此一来，太阳能电池的电极的线宽便可以受到良好的控制，而不会有因电极外扩而降低太阳能电池的光接收面积的情形发生。

附图说明

图1A至图1F分别绘示本发明的太阳能电池的制作方法一实施例不同步骤的示意图；

图2绘示由图1A至图1F的太阳能电池的制作方法所制作出来的太阳能电池的剖面示意图；

图3A至图3F分别绘示本发明的太阳能电池的制作方法另一实施例不同步骤的示意图；

图4绘示由图3A至图3F的太阳能电池的制作方法所制作出来的太阳能电池的剖面示意图。

其中，附图标记

100、100’：太阳能电池

110：基板

111：第一异质介面层

112：N型单晶硅层

113：第二异质介面层

114：P型非晶硅层

116：N型非晶硅层

120：透明导电层

130：光阻

132：侧壁

140：介电层

142：隆起部

144：开口