[发明专利]太阳能电池与其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310261659.8 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103413859A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 杨伯川 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;王颖
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 与其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包含:

提供一基板;

形成一透明导电层于该基板的一表面;

形成多个光阻图案于该透明导电层上;

形成一介电层覆盖这些光阻图案以及该透明导电层上,其中这些光阻图案的侧壁部分外露于该介电层;

移除这些光阻图案与覆盖于这些光阻图案上的部分该介电层,以在保留下来的另一部分该介电层上形成多个开口;以及

形成多个电极于这些开口中。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,还包含于形成这些光阻图案的步骤之前形成一种子导体层于该透明导电层上,其中这些电极为形成于该种子导体层上。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,其中这些电极的侧壁实质上垂直于该透明导电层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,还包含:

在形成这些电极之后移除该介电层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,其中形成这些电极的步骤为利用电镀工艺将这些电极形成于这些开口中。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,其中该基板包含:

一N型单晶硅层;

一第一异质介面层与一第二异质介面层,分别形成于该N型单晶硅层的相对两表面;

一P型非晶硅层,形成于该第一异质介面层上;以及

一N型非晶硅层,形成于该第二异质介面层上。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,其中该透明导电层形成于该P型非晶硅层或是该N型非晶硅层上。

8.一种太阳能电池,其特征在于,包含:

一基板;

一透明导电层,设置于该基板上;

一介电层,设置于该透明导电层上,其中该介电层具有多个开口以及分别围绕于这些开口的多个隆起部;以及

多个电极,分别设置于这些开口中,其中这些隆起部的高度分别从这些电极起向外递减。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,其中这些电极的侧壁实质上垂直于该透明导电层。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,其中该基板包含:

一N型单晶硅层;

一第一异质介面层与一第二异质介面层,分别形成于该N型单晶硅层的相对两表面;

一P型非晶硅层,形成于该第一异质介面层上;以及

一N型非晶硅层,形成于该第二异质介面层上。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,其中该透明导电层为形成于该P型非晶硅层或是该N型非晶硅层。

12.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,其中这些电极的材料为铜,这些电极的高度约为5微米。

13.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,更包含多个种子导体层,形成于这些电极与该基板之间。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其特征在于,其中这些种子导体层的材料为铜,这些种子导体层的厚度约为0.1微米。

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