[发明专利]数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种数据保护方法，且特别是有关于一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

在多阶存储单元(Multi Level Cell,MLC)NAND型闪存模块中，每一个物理抹除单元会包括多个物理编程单元，并且这些物理编程单元会被分为下物理编程单元与上物理编程单元。当上物理编程单元被编程时若发生了系统的错误，则属于同一个字线的下物理编程单元中的数据可能会发生错误。此外，当数据要被写入时，必须先编程下物理编程单元才能编程上物理编程单元。主机系统可以通过写入指令把数据写入至可复写式非易失性存储器模块。主机系统也可能下达一个刷新(Flush)指令，用以清空一个逻辑范围内的数据，使得这些数据不会储存在一个易失性的存储器中。一般来说，这些被清空的数据会被写入至可复写式非易失性存储器模块中，并且主机系统会认为下达刷新指令之前的数据都已经完整且安全地被写入了。然而，若主机系统下达了刷新指令之前数据先被写入至一个下物理编程单元，且在刷新指令之后属于同一个字线的上物理编程单元被编程且发生系统错误，则该下物理编程单元的数据可能会发生错误。因此，如何保护这些数据为本领域技术人员所关心的议题。

发明内容

本发明提供一种数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置，可以保护可复写式非易失性记体模块中的数据。

本发明一范例实施例提出一种数据保护方法，用于控制一可复写式非易失性存储器模块，其包括多个物理抹除单元。此数据保护方法包括：接收来自于主机系统的一个第一刷新指令；在接收第一刷新指令之后，接收来自主机系统的第一写入指令，其中第一写入指令指示写入第一数据；根据第一数据产生第一错误校正码与相对应的第二错误校正码，其中第二错误校正码的保护能力不同于第一错误校正码的保护能力；收指示写入第二数据的第二写入指令；在接收第一写入指令之后，接收来自主机系统的一个第二刷新指令，其中第二刷新指令指示将在一缓冲存储器中的第一数据与第二数据写入至可复写式非易失性存储器模块中；将第一数据、第一错误校正码与第二数据写入至可复写式非易失性存储器模块中；以及在接收到第二刷新指令之后，将第一数据相对应的第二错误校正码写入至可复写式非易失性存储器模块中；不对第二数据产生相对应的第二错误校正码，或产生第二数据相对应的第二错误校正码但不把它写入至该可复写式非易失性存储器模块中。

在一范例实施例中，上述的每一个物理抹除单元包括多个物理编程单元，第一错误校正码是仅根据对应于单一个物理编程单元的第一数据所产生，第二错误校正码是根据对应于多个物理编程单元的第一数据所产生。

在一范例实施例中，上述产生第一数据相对应的第二错误校正码的步骤包括：根据对应于一预设数目的物理编程单元的第一数据来产生第二错误校正码，其中预设数目大于1。

在一范例实施例中，上述的物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元，并且产生第二错误校正码的步骤包括：根据第一数据中对应于至少一个下物理编程单元的部分来产生第二错误校正码。

在一范例实施例中，上述产生第二错误校正码的步骤包括：仅对缓冲存储器中该第一数据对应于至少一个下物理编程单元的部分来产生第二错误校正码。

在一范例实施例中，上述该至少一个下物理编程单元对应的上物理编程单元没有被编程。

在一范例实施例中，上述产生第一数据相对应的第二错误校正码的步骤包括：根据缓冲存储器中第一数据对应于至少一个下物理编程单元的部分与对应于一个第二物理编程单元的部分来产生第二错误校正码。其中该至少一个下物理编程单元对应的上物理编程单元没有被编程，并且第二物理编程单元是相邻于该至少一个下物理编程单元。