[发明专利]数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201310261629.7 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN104252600B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 梁鸣仁 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F21/60 分类号: G06F21/60;G06F21/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 保护 方法 存储器 控制器 储存 装置
【权利要求书】:

1.一种数据保护方法,其特征在于,用于控制一可复写式非易失性存储器模块,其中该可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元,该数据保护方法包括:

接收来自于一主机系统的一第一刷新指令;

在接收该第一刷新指令之后,接收来自该主机系统的一第一写入指令,其中该第一写入指令指示写入一第一数据;

根据该第一数据产生一第一错误校正码与相对应的一第二错误校正码,其中该第二错误校正码的保护能力不同于该第一错误校正码的保护能力;

接收一第二写入指令,其中该第二写入指令指示写入一第二数据;

在接收该第一写入指令与该第二写入指令之后,接收来自该主机系统的一第二刷新指令,其中该第二刷新指令指示将在一缓冲存储器中的该第一数据与该第二数据写入至该可复写式非易失性存储器模块中;

将该第一数据、该第一错误校正码与该第二数据写入至该可复写式非易失性存储器模块中;

在接收到该第二刷新指令之后,将该第一数据相对应的该第二错误校正码写入至该可复写式非易失性存储器模块中;以及

不对该第二数据产生相对应的一第二错误校正码,或产生该第二数据相对应的该第二错误校正码但不写入该第二数据相对应的该第二错误校正码至该可复写式非易失性存储器模块中。

2.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该第一错误校正码是仅根据对应于单一个该物理编程单元的该第一数据所产生,并且该第一数据相对应的该第二错误校正码是根据对应于多个该些物理编程单元的该第一数据所产生。

3.根据权利要求2所述的数据保护方法,其中产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:

根据对应于一预设数目的该些物理编程单元的该第一数据来产生该第二错误校正码,其中该预设数目大于1。

4.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:

根据该第一数据中对应于至少一个该些下物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码。

5.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:

仅对该缓冲存储器中该第一数据对应于至少一个该些下物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码。

6.根据权利要求5所述的数据保护方法,其中该至少一个该些下物理编程单元所对应的上物理编程单元没有被编程。

7.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:

根据该缓冲存储器中该第一数据对应于至少一个该些下物理编程单元的部分与对应于一第二物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码,其中该至少一个该些下物理编程单元所对应的上物理编程单元没有被编程,并且该第二物理编程单元是相邻于该至少一个该些下物理编程单元。

8.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,每一该些物理编程单元包括一数据位区与一冗余位区,并且该第一错误校正码是储存在该些冗余位区的其中之一,该数据保护方法更包括:

在开机后,从该些物理抹除单元中提取一第一物理抹除单元,其中该第一物理抹除单元中的该些物理编程单元尚未被全部编程;

根据该第一物理抹除单元中该些冗余位区所储存的数据来检查该第一物理抹除单元中该些数据位区所储存的数据是否发生错误;

若该第一物理抹除单元的该些物理编程单元中的一第一物理编程单元的该数据位区所储存的数据发生一第一错误并且该第一物理编程单元的该冗余位区所储存的数据无法校正该第一错误,判断该第一物理编程单元是否在该第一数据相对应的该第二错误校正码的该保护能力内;以及

若该第一物理编程单元是在该第一数据相对应的该第二错误校正码的该保护能力内,根据该第一数据相对应的该第二错误校正码来校正该第一错误。

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