[发明专利]一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站无效
申请号: | 201310260399.2 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN103326678A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 殷为民;孙捷;施俊钦;张希坤;焦伟 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H04W88/08 |
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地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率放大器 不对称 达赫笛 功率 放大 设备 基站 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,
包括至少两路相互独立且互不相同的射频功率放大通道并具有至少两个输入端和至少两个输出端;
所述至少两路相互独立且互不相同的射频功率放大通道中的每一路包括接收输入信号的输入端、用于对射频信号进行功率放大的射频功率放大单元和用于输出信号的输出端;
所述至少两路相互独立且互不相同的射频功率放大通道的输入端作为该功率放大器的输入端,所述至少两路相互独立且互不相同的射频功率放大通道输出端作为该功率放大器的输出端。
2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述用于对射频信号进行功率放大的射频功率放大单元(Transistor)包括有源管芯(Die)、键合线(Bonding Wire)和法兰盘(Flange);
所述相互独立且互不相同的射频功率放大通道包括互不相同的射频功率放大单元,其中,
所述互不相同的射频功率放大单元为每两路射频功率放大单元所包括的有源管芯的功率容量、尺寸、半导体材料、级数、工艺和有源管芯个数中的至少一个不同。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大器,其特征在于,
所述用于对射频信号进行功率放大的射频功率放大单元(Transistor)还包括提供预匹配的电路,用于通过所述键合线与所述有源管芯相连,并通过所述键合线与所述射频功率放大通道的输入端或输出端相连,提供所述有源管芯与所述射频功率放大通道的输入端或输出端之间的预匹配。
4.根据权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述提供预匹配的电路包括金属氧化物半导体电容。
5.一种不对称达赫笛功率放大(ADPA)设备,其特征在于,包括阻抗变换电路和权利要求1至4任意一项所述的功率放大器;
所述阻抗变换电路包含输入阻抗变换电路和/或输出阻抗变换电路,所述输入阻抗变换电路和输出阻抗变换电路分别与功率放大器的输入端和输出端串联连接,用于使所述功率放大器与其他射频电路相匹配。
6.根据权利要求5所述的不对称达赫笛功率放大设备,其特征在于,还包括达赫笛(Doherty)合成电路,用于将所述功率放大器所包括的每一路射频功率放大通道的输出相连。
7.根据权利要求6所述的其特征不对称达赫笛功率放大设备,其特征在于,所述Doherty合成电路为多端口微带网络,其端口数目由所述功率放大器所包括的射频功率放大通道的数目决定,其各端口的阻抗值和相位长度由所述每一路射频功率放大通道的功率决定。
8.根据权利要求5或6或7所述的不对称达赫笛功率放大设备,其特征在于,还包括功分器,用于将输入信号分为不等能量的信号,并分别传输给功率放大器中的每一路射频功率放大通道。
9.根据权利要求7所述的不对称达赫笛功率放大设备,其特征在于,所述功分器为电桥或微带功分器。
10.一种基站,其特征在于,包括如权利要求1至4任意一项所述的功率放大器,或者,包括如权利要求5至9任意一项所述的不对称达赫笛功率放大设备。
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