[发明专利]一种N型太阳能电池的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池制作领域，尤其涉及一种N型太阳能电池的制作方法。

背景技术

太阳能电池是以半导体材料为基础的一种具有能量转换功能的半导体器件，是太阳能光伏发电的最核心的器件。在现今的太阳能电池领域又以晶体硅太阳能电池的制作工艺最为成熟，晶体硅太阳能电池分为N型晶体硅太阳能电池和P型晶体硅太阳能电池，也即，常见的晶体硅太阳能电池，如单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池等都包括N型和P型。N型晶体硅太阳能电池的制作方法包括：表面制绒、背场制备、扩散制结、刻蚀绝缘、镀减反射膜和印刷烧结，其中，背场制备工艺会在N型晶体硅太阳能电池的背表面形成一层N型重掺杂背场，以在N型晶体硅太阳能电池内部建立一个浓度梯度，使位于太阳能电池正表面的PN结收集的载流子扩散到太阳能电池背面，形成电流。

常规的N型太阳能电池的背场是通过高温扩散过程制备形成的，具体的，将太阳能电池片置于石英管内部，然后在高温条件下通入气态源，以通过热扩散在太阳能电池的背表面形成N型重掺杂背场。但是，通过高温热扩散在N型太阳能电池的背表面形成背场的方法无法实现单面扩散，形成的背场的质量也较差，而且背场制备的过程还会影响太阳能电池的质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池制作方法，此种太阳能电池的制作方法可以保证N型太阳能电池具有良好的背场，而且还可以改善N型太阳能电池的质量。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种N型太阳能电池的制作方法，包括：提供N型半导体衬底；

在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。

优选的，所述N型半导体衬底为N型单晶硅衬底、N型多晶硅衬底或N型非晶硅衬底。

优选的，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入；在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散；进行氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极的同时，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。

优选的，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散，并清洗所述扩散后的N型半导体衬底；在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入；进行氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极的同时，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。

优选的，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散及氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极；在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入及氧化退火，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。

优选的，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入及氧化退火，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场；在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散及氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极。

优选的，在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入是采用包含磷原子的化合物分子。

优选的，所述包含磷原子的化合物分子为磷化氢分子或其他含磷的化合物分子。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：

本发明采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场，此种制作方法在形成N型太阳能电池背场时，可以实现单面扩散，同时，鉴于离子注入工艺的工艺特点，此时采用离子注入工艺在N型半导体衬底背表面进行掺杂，可以更好的控制N型重掺杂背场的结深和浓度，制备出更高质量的背场，提高N型太阳能电池的效率。此外，由于离子注入工艺对于N半导体衬底的工艺温度没有要求，故可根据需要在室温或低温条件下进行掺杂，以避免高温热扩散对N型半导体衬底的损害，改善了太阳能电池的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。