[发明专利]一种N型太阳能电池的制作方法无效
| 申请号： | 201310260173.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311376A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郎芳;张伟;丁友谊;胡志岩;李高非;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供N型半导体衬底；
在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N型半导体衬底为N型单晶硅衬底、N型多晶硅衬底或N型非晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：
在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入；
在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散；
进行氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极的同时，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：
在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散，并清洗所述扩散后的N型半导体衬底；
在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入；
进行氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极的同时，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：
在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散及氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极；
在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入及氧化退火，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场的方法具体包括：
在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入及氧化退火，在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场；
在所述N型半导体衬底正表面进行发射极扩散及氧化退火，在所述N型半导体衬底正表面形成发射极。
7.根据权利要求3-6任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述N型半导体衬底背表面进行离子注入是采用包含磷原子的化合物分子。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述包含磷原子的化合物分子为磷化氢分子或其他含磷的化合物分子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
