[发明专利]场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310260078.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337519A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
形成在衬底之上的超薄绝缘体层，所述超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；
形成在所述超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及
形成在所述超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质以及形成在所述栅介质上方的栅电极。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管，所述单晶稀土氧化物包括：(Gd1-xErx)2O3、(Gd1-xNdx)2O3、(Er1-xNdx)2O3、(Er1-xLax)2O3、(Pr1-xLax)2O3、(Pr1-xNdx)2O3、(Pr1-xGdx)2O3中的一种或多种的组合，其中x的取值范围为0-1。
3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄绝缘体层的厚度小于20nm。
4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄半导体单晶薄膜的厚度小于20nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：形成在所述栅堆叠下方的所述衬底中且紧邻所述超薄绝缘体层的背栅。
6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄绝缘体层和所述超薄半导体单晶薄膜是通过晶体外延生长形成的。
7.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述衬底的材料包括：单晶Si、单晶SiGe、单晶Ge中的一种或及其组合。
8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄半导体单晶薄膜的材料包括：Si、Ge、Si1-yGey、Si1-zCz、III-V族半导体材料或II-VI族半导体材料，其中y和z的取值范围为0-1。
9.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄绝缘体层具有应变。
10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述超薄半导体单晶薄膜具有应变。
11.一种场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.提供衬底；
S2.在所述衬底之上形成超薄绝缘体层，所述超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；
S3.在所述超薄绝缘体层之上形成超薄半导体单晶薄膜；以及
S4.在所述超薄半导体单晶薄膜之上形成栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质以及形成在所述栅介质上方的栅电极。
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