[发明专利]低功耗电流模式逻辑电路有效

专利信息
申请号: 201310260007.2 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN103297036A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 王源;张雪琳;贾嵩;张钢刚;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 功耗 电流 模式 逻辑电路
【权利要求书】:

1.一种电流模式逻辑电路,包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的源极耦接至电源端,栅极耦接至接地端,漏极耦接至第一输出节点;

第二晶体管,所述第二晶体管的源极耦接至所述电源端,栅极耦接至所述接地端,漏极耦接至第二输出节点;以及

输入单元,耦接在所述第一输出节点、所述第二输出节点与低电平端之间,并且具有第一输入节点和第二输入节点。

2.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述输入单元包括:

第三晶体管,所述第三晶体管的漏极耦接至所述第一输出节点,栅极耦接至所述第一输入节点,源极耦接至所述低电平端;以及

第四晶体管,所述第四晶体管的漏极耦接至所述第二输出节点,栅极耦接至所述第二输入节点,源极耦接至所述低电平端。

3.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是PMOS晶体管,且所述PMOS晶体管工作在线性区。

4.根据权利要求2所述的电流模式逻辑电路,其中所述第三晶体管和所述第四晶体管是NMOS晶体管,且所述NMOS晶体管工作在饱和区。

5.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述低电平端的电压大于0。

6.一种具有权利要求1至5中任一项所述电流模式逻辑电路的锁存器。

7.一种具有权利要求1至5中任一项所述电流模式逻辑电路的多选器。

8.一种判决反馈均衡电路,包括多个均衡器和多个锁存器,其中所述多个锁存器中的至少一个是根据权利要求6所述的锁存器。

9.根据权利要求8所述的判决反馈均衡电路,还包括多选器,其中所述多选器是根据权利要求7所述的多选器。

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