[发明专利]低功耗电流模式逻辑电路有效
| 申请号: | 201310260007.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN103297036A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
| 发明(设计)人: | 王源;张雪琳;贾嵩;张钢刚;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
| 地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功耗 电流 模式 逻辑电路 | ||
1.一种电流模式逻辑电路,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的源极耦接至电源端,栅极耦接至接地端,漏极耦接至第一输出节点;
第二晶体管,所述第二晶体管的源极耦接至所述电源端,栅极耦接至所述接地端,漏极耦接至第二输出节点;以及
输入单元,耦接在所述第一输出节点、所述第二输出节点与低电平端之间,并且具有第一输入节点和第二输入节点。
2.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述输入单元包括:
第三晶体管,所述第三晶体管的漏极耦接至所述第一输出节点,栅极耦接至所述第一输入节点,源极耦接至所述低电平端;以及
第四晶体管,所述第四晶体管的漏极耦接至所述第二输出节点,栅极耦接至所述第二输入节点,源极耦接至所述低电平端。
3.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是PMOS晶体管,且所述PMOS晶体管工作在线性区。
4.根据权利要求2所述的电流模式逻辑电路,其中所述第三晶体管和所述第四晶体管是NMOS晶体管,且所述NMOS晶体管工作在饱和区。
5.根据权利要求1所述的电流模式逻辑电路,其中所述低电平端的电压大于0。
6.一种具有权利要求1至5中任一项所述电流模式逻辑电路的锁存器。
7.一种具有权利要求1至5中任一项所述电流模式逻辑电路的多选器。
8.一种判决反馈均衡电路,包括多个均衡器和多个锁存器,其中所述多个锁存器中的至少一个是根据权利要求6所述的锁存器。
9.根据权利要求8所述的判决反馈均衡电路,还包括多选器,其中所述多选器是根据权利要求7所述的多选器。
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