[发明专利]芯片内部压降测量装置及测量方法

权利要求书

1.一种芯片内部压降的测量装置，其特征在于，该装置包括：

多级压控振荡器，用于将芯片内部压降转换为振荡信号，并且所述压控振荡器环振级数可选择多级、所述压控振荡器频率可配置；

可调时间窗口控制模块，用于产生一个可调的时间窗口，控制所述压控振荡器在所述的时间窗口内工作；以及

计数器，用于采样所述时间窗口内所述压控振荡器的振荡次数，并输出结果。

2.根据权利要求1所述的芯片内部压降的测量装置，其特征在于，所述压控振荡器的环振级数采用奇数级反向逻辑，当测量局部压降时，可以紧凑放置在一起，当测量芯片全局或某模块内部压降时，可散布在测量范围内通过金属长线进行连接。

3.如权利要求1所述的芯片内部压降的测量装置，其特征在于，当测量芯片的动态压降时，调整所述压控振荡器产生高频时钟和所述可调时间窗口控制模块产生短时间的时间窗口；当测量芯片的静态压降时，调整所述压控振荡器产生低频时钟和所述可调时间窗口控制模块产生长时间的时间窗口。

4.一种芯片内部压降的测量方法，其特征在于，通过调整可配级数的压控振荡器环振级数和频率、调整可调时间窗口控制模块的时间窗口，来采样所述时间窗口内所述压控振荡器的振荡次数，用以测量所述芯片内部的动态压降、静态压降或连续压降，并输出结果。

5.如权利要求4所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，所述压控振荡器的环振级数采用奇数级反向逻辑，当测量局部压降时，可以紧凑放置在一起，当测量芯片全局或某模块内部压降时，可散布在测量范围内通过金属长线进行连接。

6.如权利要求4所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，当测量芯片的动态压降时，调整所述压控振荡器产生高频时钟和所述可调时间窗口控制模块产生短时间的时间窗口；当测量芯片的静态压降时，调整所述压控振荡器产生低频时钟和所述可调时间窗口控制模块产生长时间的时间窗口。

7.如权利要求4所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，当测量芯片的连续压降时，在所述计数器之后设置存储单元，调整可调时间窗口模块产生连续的时间窗口，在每次计数完毕之后计数结果存入所述存储单元中，利用所有测量结果分析芯片该连续时间内的压降。

8.一种芯片内部压降的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）输入时间窗口配置信号、开始信号以及计数器清零信号；

2）输入选择信号选择配置压控振荡器环振级数和频率；

3）输入开启信号开启压控振荡器；

4）计数器开始记录压控振荡器的振荡次数；

5）时间窗口结束，输出结果。

9.如权利要求8所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，所述压控振荡器的环振级数采用奇数级反向逻辑，当测量局部压降时，可以紧凑放置在一起，当测量芯片全局或某模块内部压降时，可散布在测量范围内通过金属长线进行连接。

10.如权利要求8所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，

当测量芯片的动态压降时，所述选择信号选择所述压控振荡器产生高频时钟和所述时间窗口为短时间窗口；以及

当测量芯片的静态压降时，所述选择信号选择所述压控振荡器产生低频时钟和所述时间窗口产生长时间窗口。

11.如权利要求8所述的芯片内部压降的测量方法，其特征在于，当测量芯片的连续压降时，在所述计数器之后设置存储单元，调整可调时间窗口模块产生连续的时间窗口，在每次计数完毕之后计数结果存入所述存储单元中，利用所有测量结果分析芯片该连续时间内的压降。