[发明专利]一种晶圆减薄的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆减薄的方法。 

背景技术

在半导体制造领域中，由于减薄的晶圆可以有利于封装、有效传输光线等，所以，晶圆减薄工艺成为半导体制造领域例如集成电路领域中的一道重要的工序。 

请参阅图1-4，图1是通常的晶圆减薄的方法的流程示意图，图2-4为通常的晶圆减薄的方法的各制备步骤所对应的截面结构示意图，通常的晶圆减薄的方法包括： 

步骤S11：请参阅图2，对晶圆101和102进行键合工艺； 

步骤S12：请参阅图3，对键合的晶圆101进行修边工艺； 

步骤S13：请参阅图4，对键合的晶圆101进行减薄工艺。 

在上述晶圆减薄的方法中，晶圆101包括衬底1和多层膜2，晶圆101的背面的多层膜2通常为很多层金属或氧化物薄膜，比如包括有外延层、栅氧化层、多晶硅膜等，由于多层膜2的存在，以及晶圆101和102的边缘存在一定的弧度，在键合时，如图2所示，两片晶圆101和102并不能紧密的贴合在一起，键合的晶圆101和102的边缘存在缝隙，如果直接进行减薄工艺，晶圆101的边缘处由于得不到附着和支撑，则极易受力断裂，并对晶圆101和102均造成损伤。 

为了避免在减薄工艺中键合的晶圆发生断裂，业界通常采用修边工艺，在减薄工艺进行前，先把键合的晶圆边缘磨掉，即进行修边工艺，然而，修边工艺需要向晶圆内部进行较大尺寸的切削，这样会造成晶圆的实际使用面积减小，从而减小晶圆面积的利用率，以及提高了工艺成本。 

发明内容

为了克服上述问题，本发明的目的旨在改进晶圆减薄工艺，降低成本，以及提高晶圆面积利用率。 

本发明的一种晶圆减薄的方法，包括： 

步骤S01：对多层晶圆进行键合工艺； 

步骤S02：在所述键合后的晶圆的边缘缝隙中施加填充物； 

步骤S03：对所述的填充物进行固化处理； 

步骤S04：对所述键合的最上层晶圆和/或最下层晶圆进行减薄工艺； 

步骤S05：将所述填充物去除。 

优选地，所述的多层晶圆的层数为两层。 

优选地，所述填充物的外表面超出或齐平于所述最上层或最下层晶圆的边缘。 

优选地，所述填充物与所述晶圆的边缘紧密接触。 

优选地，采用注射装置施加所述填充物。 

优选地，在步骤S03中，进行所述固化处理之前，先对所述晶圆表面进行清洗，去除其表面的残余填充物。 

优选地，所述的固化处理是对所述填充物进行加热处理，形成具有一定强度的所述填充物。 

优选地，所述减薄工艺之后，采用清洗工艺，和/或热处理工艺将所述填充物去除。 

优选地，所述的填充物为具有粘合性的胶体。 

优选地，所述的填充物溶于特定液体中。 

本发明的晶圆减薄的方法，通过在键合的晶圆的边缘缝隙中施加填充物，利用填充物的良好的填充性、黏性、以及在固化处理后的一定的强度，可以对晶圆边缘起到保护、支撑的作用，这样，在对晶圆进行减薄时，晶圆边缘不会产生受力断裂，避免了断裂时产生的碎屑在晶圆表面形成划痕和残留；由于不需要修边工艺，简化了工艺过程，降低了成本，提高了晶圆面积利用率。 

附图说明

图1是通常的晶圆减薄的方法的流程示意图 

图2-4为通常的晶圆减薄的方法的各制备步骤所对应的截面结构示意图 

图5是本发明的一个较佳实施例的晶圆减薄的方法的流程示意图 

图6-11是本发明的上述较佳实施例的晶圆减薄方法的各制备步骤所形成的截面结构示意图 

具体实施方式

体现本发明特征与优点的实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上当做说明之用，而非用以限制本发明。 

以下结合附图5-11，通过具体实施例对本发明的晶圆减薄的方法作进一步详细说明。其中，图5是本发明的一个较佳实施例的晶圆减薄的方法的流程示意图，图6-11是本发明的上述较佳实施例的晶圆减薄方法的各制备步骤所形成的截面结构示意图。 

需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、明晰地达到辅助说明本发明实施例的目的。