[发明专利]一种晶圆减薄的方法有效
| 申请号： | 201310256826.X | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103413772A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张守龙;白英英;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
1.一种晶圆减薄的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：对多层晶圆进行键合工艺；
步骤S02：在所述键合后的晶圆的边缘缝隙中施加填充物；
步骤S03：对所述的填充物进行固化处理；
步骤S04：对所述键合的最上层晶圆和/或最下层晶圆进行减薄工艺；
步骤S05：将所述填充物去除。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述的多层晶圆的层数为两层。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述填充物的外表面超出或齐平于所述最上层或最下层晶圆的边缘。
4.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述填充物与所述晶圆的边缘紧密接触。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，采用注射装置施加所述填充物。
6.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，在步骤S03中，进行所述固化处理之前，先对所述晶圆表面进行清洗，去除其表面的残余填充物。
7.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述的固化处理是对所述填充物进行加热处理，形成具有一定强度的所述填充物。
8.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述减薄工艺之后，采用清洗工艺，和/或热处理工艺将所述填充物去除。
9.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述的填充物为具有粘合性的胶体。
10.根据权利要求1所述的晶圆减薄的方法，其特征在于，所述的填充物溶于特定液体中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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