[发明专利]体接触部分耗尽绝缘体上硅晶体管

权利要求书

1.一种开关电路，包括：

开关晶体管，具有栅极接点、源极接点、漏极接点和体接点；

第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和所述第二电阻器彼此串联耦合，并且还与所述源极接点和所述漏极接点耦合且耦合在所述源极接点与所述漏极接点之间；以及

放电晶体管，具有与所述开关晶体管的体接点耦合的第一接点、与所述开关晶体管的栅极接点耦合的第二接点以及与所述第一电阻器和所述第二电阻器耦合的栅极接点，

其中，所述开关晶体管和所述放电晶体管被配置成基于在所述开关晶体管的栅极接点处提供的控制电压而以互补方式接通和关断。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述放电晶体管的栅极接点与所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一节点耦合。

3.根据权利要求2所述的开关电路，其中，所述第一节点是虚拟地。

4.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述开关电路是绝缘体上硅SOI器件。

5.根据权利要求4所述的开关电路，其中，所述SOI器件包括部分耗尽SOI器件。

6.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述开关电路是被配置成传送负直流电压的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS开关。

7.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述开关电路是被配置成传送正直流电压的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS开关。

8.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器具有相同尺寸。

9.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述放电晶体管的第一接点是所述放电晶体管的源极接点，并且所述放电晶体管的第二接点是所述放电晶体管的漏极接点。

10.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述开关电路包括共栅放大器。

11.一种部分耗尽绝缘体上硅PDSOI器件，包括：

第一晶体管，被配置成在接通时传递信号，而在关断时阻止所述信号通过；

被配置成提供虚拟地的节点；以及

第二晶体管，具有与所述节点耦合的第一接点和与所述第一晶体管的体耦合的第二接点，以在所述第一晶体管关断时提供到所述第一晶体管的体的放电路径，

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置成基于在所述第一晶体管的栅极接点处提供的控制电压而以互补方式接通和关断。

12.根据权利要求11所述的PDSOI器件，其中，所述第一接点是栅极接点，并且所述第二接点是源极接点。

13.根据权利要求11所述的PDSOI器件，还包括：

彼此串联耦合的第一电阻器和第二电阻器，

其中，所述节点布置在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间。

14.根据权利要求13所述的PDSOI器件，其中，所述第一晶体管包括与所述第一电阻器耦合的源极接点和与所述第二电阻器耦合的漏极接点。

15.根据权利要求11所述的PDSOI器件，其中，所述第二晶体管被配置成在所述第一晶体管接通时关断。

16.根据权利要求15所述的PDSOI器件，其中，所述第二晶体管还被配置成在所述第一晶体管关断时接通。

17.一种用于放大信号的系统，包括：

收发器，被配置成提供信号；

功率放大模块，被配置成接收来自所述收发器的信号并且放大所述信号以进行传送；以及

开关电路，布置在所述收发器中或所述功率放大器模块中，所述开关电路包括部分耗尽绝缘体上硅PDSOI器件，所述PDSOI器件具有：

开关晶体管，被配置成切换所述信号；

一对电阻器，被配置成在第一节点处提供虚拟地；以及

放电晶体管，与所述开关晶体管和所述第一节点耦合，并且被配置成提供用于释放所述开关晶体管的体中的电荷的放电路径，

其中，所述开关晶体管和所述放电晶体管被配置成基于在所述开关晶体管的栅极接点处提供的控制电压而以互补方式接通和关断。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述放电晶体管被配置成在所述开关晶体管关断时提供所述放电路径。