[发明专利]提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺

权利要求书

1.一种提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，包括坩埚喷涂、装料、熔化和晶体生长，其特征在于，晶体生长包括长晶初期、长晶中期和长晶后期，长晶初期，控制隔热笼的打开速度为0.003-0.15cm/min，持续时间为30-180min，使隔热笼的开度达到3-8cm；长晶中期，控制隔热笼的打开速度为0.0075-0.009cm/min，持续15-30h；长晶后期，控制隔热笼的打开速度为0.004--0.006cm/min，持续直到中心长晶结束，使隔热笼的开度达到15-20cm。

2.根据权利要求1所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述长晶初期的温度控制为1410-1440℃。

3.根据权利要求1或2所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述长晶中期结束后的温度控制为1405-1430℃。

4.根据权利要求3所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述长晶后期结束后的温度控制为1400-1423℃。

5.根据权利要求4所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述长晶初期的温度控制为1435-1440℃，长晶中期结束后的温度控制为1420-1430℃，长晶后期结束后的温度控制为1410-1420℃。

6.根据权利要求1或2所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述熔化时控制炉体内温度为1550℃，炉底温度为1300-1380℃。

7.根据权利要求1或2所述的提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺，其特征在于，所述装料时，预先在硅料底部放置一层氧化铝晶体颗粒、SiC或单晶片。