[发明专利]有机发光器件和制造有机发光器件的方法有效
| 申请号: | 201310242467.2 | 申请日: | 2013-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN103325815A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
| 发明(设计)人: | 洪飞 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)和OTFT(Organic Thin Film Transistor,有机薄膜场效应晶体管)进行集成的器件。
背景技术
OTFT和OLED是在有机电子学领域的两大技术分支,OLED已经被应用于显示和照明等领域,OTFT作为开关器件也有着独特的特点,将很有可能取代常规的无机TFT。OTFT既具有电学特性又具备光学特性也具有多种独特的物理特性,并且可以采用较为廉价的工艺制备,比如印刷工艺、涂布工艺等,可以大面积制备。而且有机半导体具有优良的柔韧性,可最好的兼容柔性衬底。所以OTFT,OLED将会成为下一代柔性电子产品的最佳候选技术。
在现有的AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管面板)显示技术中,需要使用TFT有源阵列来驱动OLED发光和关断,每一个OLED器件都需要连接TFT作为驱动元件,提供给OLED发光所需要的电流。而在构建的过程中需要先在玻璃基板上构建TFT阵列,然后再制备OLED发光器件,其制造工序复杂。生产成本较高,像素密度也很难进一步提高。
发明内容
鉴于现有技术的上述问题和/或其他问题,本发明提供了一种有机发光器件和制造有机发光器件的方法。
本发明提供的一种有机发光器件,包括:
栅电极;
绝缘层,设置在栅电极上;
有源层,设置在绝缘层上,该有源层包括位于其外周的源区、位于其中心部分的漏区、及源区与漏区之间的沟道区;
有机发光层,位于该漏区上;及
漏电极,位于该有机发光层之上;及
源电极,位于该源区。
本发明提供的制造有机发光器件的方法,包括:
在基板上形成栅电极;
在栅电极上形成绝缘层;
在该绝缘层上形成有源层,该有源层包括位于其外周的源区、位于其中心部分的漏区、及源区与漏区之间的沟道区;
在该源区形成源电极;
在该漏区上形成有机发光层;
在发光层之上形成漏电极。
本发明的将有机发光二极管和薄膜晶体管集成的方案,能够集开关器件与发光器件于一体,增加了开口率,有利于提高显示设备的对比度,且制作工艺简单,生产成本低,能较好的兼容柔性基板,具有很高的应用价值。
附图说明
图1a为根据本发明一实施例的有机发光器件的剖面示意图;
图1b为根据本发明另一实施例的有机发光器件的剖面示意图;
图2所示为图1a的有机发光器件的俯视图;
图3所示为集成器件的工作示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中,为了清晰,夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
本发明将OTFT和OLED集成在一个器件上,在单一器件上实现TFT电流驱动OLED发光。
参见图1a所示为根据本发明一实施方式的集成器件的剖视图,图2所示为该集成器件的俯视图。以下参照图1a和图2对根据该示例实施方式的集成器件进行说明。
根据示例实施方式的集成器件包括基板1、设置在该基板1上的栅电极2、设置在栅电极2上的绝缘层3、设置在该绝缘层3上有源层4、设置在有源层4上的源电极5、设置在有源层4上且位于两个源电极5之间的发光层(EML:emission layer)61、电子传输层(ETL:electron transportation layer)62、电子注入层(EIL:electron injection layer)63及漏电极64。
基板1可以为玻璃基板或者柔性基板。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





