[发明专利]有机发光器件和制造有机发光器件的方法

权利要求书

1.一种有机发光器件，包括：

栅电极；

绝缘层，设置在栅电极上；

有源层，设置在绝缘层上，该有源层包括位于其外周的源区、位于其中心部分的漏区、及源区与漏区之间的沟道区；

有机发光层，位于该漏区上；

漏电极，位于该有机发光层之上；及

源电极，位于该源区。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该源电极设置在该有源层上。

3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该源电极设置在该绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该源区、该沟道区和该漏区具有方形形状。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该栅电极为铟锡金属氧化物、Al、Mo、Ag或石墨烯材料。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该绝缘层为SiO₂、SiNx、Al₂O₃或有机聚合物。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该绝缘层采用单层或者多层的结构。

8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，该有源层为P型或N型有机半导体材料。

9.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，该有源层是由有机小分子材料或有机小分子掺杂材料形成的有机小分子层，或者是包括至少两层所述有机小分子层的叠层结构。

10.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，该有源层是由有机聚合物材料或由有机聚合物掺杂材料形成的有机聚合物层，或者是包括至少两层所述有机聚合物层的叠层结构。

11.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，该有源层通过蒸镀、涂布或打印工艺形成。

12.根据权利要求1所述的有机发光器件，还包括：位于发光层和漏电极之间的载流子运输层和载流子注入层。

13.根据权利要求10所述的有机发光器件，其中，该发光层、运输层、注入层和/或漏电极通过蒸镀工艺、涂布、或印刷工艺形成。

14.根据权利要求11所述的有机发光器件，其中，该栅电极位于一基板上。

15.根据权利要求14所述的有机发光器件，其中，该基板为玻璃基板或者柔性基板。

16.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，源电极由是Au、Mg、Ca、Ag、Al、Cu中的至少一种形成的金属层，或者是包括两个或多个金属层的叠层结构。

17.根据权利要求16所述的有机发光器件，其中，在所述叠层结构中，至少一层包括功函数低于4.3eV的金属，至少另一层包括功函数高于4.3eV的金属。

18.一种制造有机发光器件的方法，包括：

在基板上形成栅电极；

在栅电极上形成绝缘层；

在该绝缘层上形成有源层，该有源层包括位于其外周的源区、位于其中心部分的漏区、及源区与漏区之间的沟道区；

在该源区形成源电极；

在该漏区上形成有机发光层；

在发光层之上形成漏电极。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述有源层由有机半导体材料形成。

20.如权利要求18所述的方法，其中，绝缘层为包括SiO₂、SiNx、Al₂O₃至少之一的无机绝缘层，或者为有机聚合物绝缘层。

21.如权利要求18所述的方法，其中，该绝缘层为单层或者多层。

22.如权利要求18所述的方法，其中，该绝缘层采用PECVD工艺形成。

23.如权利要求18所述的方法，其中，该绝缘层为有机聚合物，且采用旋涂工艺形成。

24.如权利要求18所述的方法，其中，该有源层采用蒸镀、涂布、或印刷工艺形成。

25.如权利要求18所述的方法，还包括：形成位于发光层和漏电极之间的电子运输层和电子注入层。

26.如权利要求18所述的方法，还包括：形成位于发光层和漏电极之间的空穴运输层和空穴注入层。