[发明专利]光模块以及光模块的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310242366.5 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN103513345B 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 依田薰;鸟海和宏 申请(专利权)人: 西铁城时计株式会社
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 上海市华诚律师事务所31210 代理人: 徐晓静
地址: 日本国东京都西*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 模块 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种光模块以及光模块的制造方法,特别地涉及一种采用了固定有光纤的辅助基板的光模块以及光模块的制造方法。

背景技术

已知在进行将光纤组装到基板的情况下,通过在由光刻蚀刻技术来形成到SOI基板上的V槽配置光纤,来高精度地定位SOI基板与光纤(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1特开2002-107580号公报(图1、图3)

发明内容

【发明所要解决的问题】

然而,对于V槽来说,由于在V槽形成时抗蚀层的开口精度差的情况下,V槽的深度发生变化,光纤与基板的位置关系发生偏差,因而,高精度地定位光纤与基板的位置关系有困难。

又,当一旦在形成于基板上的V槽内配置了光纤,其后,也会有无法为了对准而移动光纤的配置位置这样的不良状况。

因此,本发明的目的在于,提供一种用于解决上述的问题的光模块以及光模块的制造方法。

又,本发明的目的在于,提供一种可以采用固定有光纤的辅助基板,来高精度地定位光纤与光学元件的光模块以及光模块的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明所涉及的光模块的特征在于,具有:硅基板;包含支持层,活性层,配置在支持层与活性层之间的BOX层以及高度调整层的辅助基板;光纤;固定在硅基板上的光学元件,辅助基板具有通过活性层与BOX层而形成的固定用槽,光纤固定在固定用槽中,辅助基板通过高度调整层来相对于硅基板被定位,由此光纤与所述光学元件被光耦合。

进一步地,在本发明所涉及的光模块中,优选辅助基板具有形成于高度调整层上的接合用Au层,硅基板具有用于与接合用Au层相接合的Au微凸块。

本发明所涉及的光模块的制造方法的特征在于,具有如下工序:采用具有支持层、活性层以及配置在支持层与活性层之间的BOX层的基材,通过由蚀刻来去除活性层的一部分,来形成具有由活性层与BOX层形成的固定用槽的辅助基板,在活性层上部淀积用于调整活性层的高度的高度调整层,将光纤固定到固定用槽,辅助基板通过高度调整层来相对于硅基板被定位,由此来使光纤与光学元件光耦合。

进一步地,在本发明所涉及的光模块的制造方法中,优选进一步地具有在高度调整层上淀积接合用Au层,以及在硅基板上形成用于与接合用Au层相接合的Au微凸块的工序。

发明的效果

根据本发明,由于将光纤固定到通过辅助基板的活性层与BOX层而形成的固定用槽中,因而,当将硅基板接合到辅助基板时,可以非常高精度地进行光纤的高度方向的对齐。

根据本发明,由于即使在辅助基板的活性层的厚度不均匀的情况下,也能够通过高度调整层来补偿活性层的厚度的不均匀性,因而,当将硅基板接合到辅助基板时,可以非常高精度地进行光纤的高度方向的对齐。

附图说明

图1是示出光模块1的外观的立体图。

图2是图1的AA′剖面的示意图。

图3是图1的BB′剖面的示意图。

图4是用于对辅助基板的制造精度进行说明的图。

图5是示出辅助基板的制造例的图。

图6是示出光模块1的制造过程的图(1)。

图7是示出光模块1的制造过程的图(2)。

图8是示出光模块1的制造过程的图(3)。

具体实施方式

参照以下附图,对本发明所涉及的光模块以及光模块的制造方法进行说明。但是,本发明的技术的范围不限定于这些实施方式,应当留意权利要求书的范围所记载发明及其等同发明所涉及的点。

图1是示出光模块1的外观的立体图,图2是图1的AA′剖面的示意图。

光模块1由硅基板10,光纤20,用于安装光纤20的辅助基板30,用于进行光的波长变换的PPLN(Periodicaly Poled Lithium Niobate:周期性极化铌酸锂)元件40,LD(激光、二极管)元件50,用于向LD元件50供给驱动电压和/或控制电压的柔性基板60等构成。

图1中,硅基板10上配置有:用于向进行PPLN元件40的温度控制的加热器(未图示)供给驱动电压和/或控制电压的第一电极11;用于接合LD元件50与柔性基板60的第二电极12。又,硅基板10上形成有空刀槽13,固定于辅助基板30的光纤20被构成为不与硅基板10接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西铁城时计株式会社,未经西铁城时计株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310242366.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top