[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

封装衬底；

第一布线和第二布线，相互电隔离并且形成在所述封装衬底上；

电子组件，电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间并且安装在所述第一布线上；

半导体芯片，包括与所述电子组件并联地电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间以保护所述电子组件的齐纳二极管并且具有第一表面及在其背面的第二表面，其中所述齐纳二极管的阳极电极和阴极电极位于所述第一表面上；以及

树脂结合层，形成在所述第二布线与所述第二表面之间，

其中所述半导体芯片包括：

p型半导体衬底；

p型阳极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；

n型阴极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；

所述阳极电极，形成在所述阳极区域中；以及

所述阴极电极，形成在所述阴极区域中，

其中所述电子组件通过第一金属线连接到所述第一布线并且通过第二金属线连接到所述第二布线，并且

其中所述p型阳极区域通过第三金属线连接到所述第二布线并且所述n型阴极区域通过第四金属线连接到所述第一布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电子组件为发光二极管；并且

所述齐纳二极管关于所述发光二极管反向耦合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述电子组件和所述半导体芯片被利用树脂密封并且在所述封装衬底的主表面之上具有反射体。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述反射体由铝或陶瓷制成。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述反射体位于所述封装衬底的所述主表面的外围上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线和所述第二布线分别由铜形成。

7.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：

(a)提供包括用于保护电子组件的齐纳二极管并且具有第一表面及在其背面的第二表面的半导体芯片，其中所述齐纳二极管的阳极电极和阴极电极位于所述第一表面上；

(b)将所述半导体芯片安装在相互电隔离的第一布线和第二布线中的一个布线之上，其中所述第二表面朝向所述一个布线，树脂结合层形成在所述第二布线与所述第二表面之间，所述一个布线为所述第二布线；

(c)将所述电子组件电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间；以及

(d)将所述半导体芯片的所述阴极电极和所述阳极电极分别电耦合至所述第一布线和所述第二布线以便将所述齐纳二极管与所述电子组件并联地电耦合，

其中所述半导体芯片包括：

p型半导体衬底；

p型阳极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；

n型阴极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；

所述阳极电极，形成在所述阳极区域中；以及

所述阴极电极，形成在所述阴极区域中，

其中所述电子组件通过第一金属线连接到所述第一布线并且通过第二金属线连接到所述第二布线，并且

其中所述p型阳极区域通过第三金属线连接到所述第二布线并且所述n型阴极区域通过第四金属线连接到所述第一布线。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中所述电子组件为发光二极管；并且

所述齐纳二极管关于所述发光二极管反向耦合。

9.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一布线和所述第二布线分别由铜形成。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中所述电子组件和所述半导体芯片被利用树脂密封并且在封装衬底的主表面之上具有反射体。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，

其中所述反射体由铝或陶瓷制成。

12.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，

其中所述反射体位于所述封装衬底的所述主表面的外围上。