[发明专利]一种半导体行业研磨废水的处理方法有效
| 申请号： | 201310241349.X | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104230041A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 曾云 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | C02F9/04 | 分类号： | C02F9/04 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 行业 研磨 废水 处理 方法 | ||
1.一种半导体行业中研磨废水的处理方法，其特征在于，包括：
在悬浮物浓度大于50mg/l的研磨废水中添加质量浓度为3%-20%的碱溶液，将所述研磨废水的氢离子浓度指数PH值调整至10.5-11；
在PH值为10.5-11的研磨废水中添加质量浓度为3%-10%的高分子混凝剂将研磨废水的电导率调节为150μs/cm-300μs/cm，及质量浓度为3%-10%的无机盐类混凝剂，将研磨废水的PH值调整至7-8.5；
将PH值为7-8.5的研磨废水进行沉降分离，得到悬浮物浓度小于50mg/l的废水。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将研磨废水的PH值调整至10.5-11的质量浓度为3%-20%碱溶液为：氢氧化钠NaOH溶液，或者氢氧化钾KOH溶液。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碱溶液的质量浓度为10%。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在PH值为10.5-11的研磨废水中添加的质量浓度为3%-10%高分子混凝剂为：聚合氯化铝或者聚合氧化铁。
5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述高分子混凝剂的质量浓度为5%。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在PH值为10.5-11的研磨废水中添加的质量浓度为3%-10%无机盐类混凝剂为：硫酸铝、三氯化铁或者硫酸亚铁。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述无机盐类混凝剂的质量浓度为5%。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将研磨废水的PH值调整至7-8.5后，在进行沉降分离之前，还包括：
在研磨废水中添加质量浓度为1‰-3‰的助凝剂直至将电导率调节为300μs/cm-500μs/cm。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述助凝剂为：阴离子聚丙乙烯氨或者活化硅酸。
10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述助凝剂的质量浓度为2‰。
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