[发明专利]半导体整合装置有效
| 申请号: | 201310240289.X | 申请日: | 2013-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN104241266B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
| 发明(设计)人: | 洪世芳;曹博昭 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 整合 装置 | ||
1.一种半导体整合装置,包含有:
基底,该基底上至少定义有一主动区域;
多个主动鳍片(active fin),设置于该主动区域内,且该多个主动鳍片沿一第一方向延伸;
多个第一保护鳍片(protecting fin),环绕该主动区域,且该多个第一保护鳍片都沿该第一方向延伸,且该多个第一保护鳍片中的一部分分别与该多个主动鳍片位于同一列且被空隙彼此分隔;
多个强化结构,设置于该第一保护鳍片上;以及
栅极层,设置于该主动鳍片上,其中该栅极层与该多个强化结构同时形成。
2.如权利要求1所述的半导体整合装置,其中该多个强化结构垂直于该多个第一保护鳍片,且连接该多个第一保护鳍片。
3.如权利要求1所述的半导体整合装置,其中该多个强化结构包含半导体材料或金属材料。
4.一种半导体整合装置,包含有:
基底,该基底上至少定义有一主动区域;
多个主动鳍片(active fin),设置于该主动区域内,且该多个主动鳍片沿一第一方向延伸;
多个第一保护鳍片(protecting fin)和多个第二保护鳍片,环绕该主动区域,其中该多个第一保护鳍片沿该第一方向延伸,且该多个第一保护鳍片与该多个主动鳍片位于同一列且被空隙彼此分隔,该多个第二保护鳍片沿一第二方向延伸,且该第二方向不同于该第一方向;以及
强化结构,将该多个第一保护鳍片和该多个第二保护鳍片电连接在一起。
5.如权利要求4所述的半导体整合装置,其中该多个第一保护鳍片设置于该主动区域的相对两侧,该多个第二保护鳍片设置于该主动区域的另外相对两侧。
6.如权利要求4所述的半导体整合装置,其中该强化结构垂直该多个第一保护鳍片与该多个第二保护鳍片。
7.如权利要求4所述的半导体整合装置,其中该强化结构包含半导体材料或金属材料。
8.一种半导体整合装置,包含有:
基底,该基底上至少定义有一主动区域;
多个主动鳍片,设置于该主动区域内;以及
多个保护鳍片框(protecting fin frame),环绕该主动区域,其中除了最内圈的保护鳍片框之外的每一该保护鳍片框都具有多个空隙切断该保护鳍片框,且各该空隙对应于相邻的该多个保护鳍片框的侧壁。
9.如权利要求8所述的半导体整合装置,其中该多个保护鳍片框为同心(concentric)排列。
10.如权利要求8所述的半导体整合装置,还包含多个强化结构,且该多个强化结构分别填满该多个空隙。
11.如权利要求10所述的半导体整合装置,其中该多个强化结构包含半导体材料或金属材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





