[发明专利]集成功率半导体器件、其制造方法和斩波电路

权利要求书

1.一种单片集成的功率半导体器件(100-400)，包括：

-具有第一区域(110)和第二区域(120)的半导体本体(40)，其中，所述第一区域(110)和所述第二区域(120)分别从所述半导体本体(40)的第一表面(101)延伸直至所述半导体本体(40)的、与所述第一表面(101)相对布置的第二表面(102)，并且其中，所述第一表面(101)的法线方向(e_n)定义了垂直方向；

-在所述第一区域(110)中形成的功率场效应晶体管结构(T_L1)，所述功率场效应晶体管结构具有布置在所述半导体本体(40)的所述第一表面(101)上的第一负载接口(10)和布置在所述半导体本体(40)的所述第二表面(102)上的第二负载接口(13)；

-在所述第二区域(120)中形成的功率二极管(D_H1)，所述功率二极管具有布置在所述半导体本体(40)的所述第一表面(101)上的第一负载接口(12)和布置在所述半导体本体(40)的所述第二表面(102)上的第二负载接口(13)，其中，所述功率场效应晶体管结构(T_L1)的所述第二负载接口(13)和所述功率二极管(D_H1)的所述第二负载接口(13)由共同的负载接口构成；和

-至少一个边缘闭合结构(15₁，15₂，15₃，9)，所述边缘闭合结构与所述第一表面(101)相邻，并且在水平方向上布置在所述功率场效应晶体管结构(T_L1)的第一负载接口(10)和所述功率二极管(D_H1)的第一负载接口(12)之间，由此在所述第一区域和所述第二区域之间获得电压差。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件(100-400)，其中，所述功率场效应晶体管结构包括多个构造相同的单元，所述单元集成在所述半导体本体(40)的所述第一区域(110)中并且彼此并联地电连接。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件(100-400)，其中，所述功率二极管(D_H1)具有垂直的pn结(18)。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件(100-400)，其中，所述边缘闭合结构包括分别相邻于所述第一表面(101)布置的场板(15)、和/或VLD边缘闭合结构、和/或JTE边缘闭合结构，和/或场环边缘闭合结构和/或垂直的边缘闭合结构。

5.根据权利要求3所述的功率半导体器件(100-400)，其中，所述边缘闭合结构包括分别相邻于所述第一表面(101)布置的场板(15)、和/或VLD边缘闭合结构、和/或JTE边缘闭合结构，和/或场环边缘闭合结构和/或垂直的边缘闭合结构。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件(100-400)，其中，至少一个所述边缘闭合结构包括与所述功率场效应晶体管结构(T_L1)的所述第一负载电极(10)连接的第一场板(15₁)，和/或其中至少一个所述边缘闭合结构包括与所述共同的负载接口连接的第二场板(15₂)，和/或其中至少一个所述边缘闭合结构包括与所述功率二极管(D_H1)的所述第一负载电极(12)连接的第三场板(15₃)。

7.根据权利要求5所述的功率半导体器件(100-400)，其中，至少一个所述边缘闭合结构包括与所述功率场效应晶体管结构(T_L1)的所述第一负载电极(10)连接的第一场板(15₁)，和/或其中至少一个所述边缘闭合结构包括与所述共同的负载接口连接的第二场板(15₂)，和/或其中至少一个所述边缘闭合结构包括与所述功率二极管(D_H1)的所述第一负载电极(12)连接的第三场板(15₃)。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件(100-400)，其中，所述第二场板(15₂)在所述水平方向上布置在所述第一场板(15₁)和所述第三场板(15₃)之间。