[发明专利]半导体模块及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201310235218.0 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103515346A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: F.布鲁奇;D.奇奥拉;E.格里布尔;R.奥特伦巴 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 及其 形成 方法
【说明书】:

技术领域

发明一般地涉及电子装置,并且更特别地涉及半导体模块及其形成方法。

背景技术

半导体装置被用于各种电子设备和其他应用中。半导体装置包括通过在半导体晶片上沉积一种或多个类型的薄膜材料,并图案化该薄膜材料以形成集成电路而形成在半导体晶片上的集成电路或离散装置。

半导体装置通常被封装在陶瓷或塑料体内,以保护半导体装置免受物理损坏或腐蚀。封装还支持连接半导体装置到封装外部的其他装置所需的电接触,该半导体装置也被称为管芯或芯片。根据半导体装置的类型和正被封装的半导体装置的预期用途,可得到许多不同类型的封装。通常的封装特征,例如封装尺寸、引脚数等,可尤其符合来自联合电子装置工程委员会(JEDEC)的开放标准。封装还可被称为半导体装置组件或简单组件。

在保护这些电连接和一个或多个底层芯片或芯片时,由于连接多个电连接到外部焊盘的复杂性,封装可能是成本密集的过程。

发明内容

通过本发明的说明性实施例,这些和其他问题通常被解决或规避,且通常实现技术有点。

根据本发明的一个实施例,半导体模块包括第一半导体装置,其具有包括第一栅极/基极引线、第一漏极/集电极引线和第一源极/发射极引线的第一多个引线。该模块进一步包括第二半导体装置和电路板。第二半导体装置具有包括第二栅极/基极引线、第二漏极/集电极引线和第二源极/发射极引线的第二多个引线。电路板具有多个安装孔,其中第一多个引线和第二多个引线中的每个被安装到多个安装孔中的相应一个中。在多个安装孔处,从第一栅极/基极引线到第二栅极/基极引线的第一距离不同于从第一源极/发射极引线到第二源极/发射极引线的第二距离。

根据本发明的一个替代实施例,半导体模块包括第一半导体装置,该第一半导体装置包括第一离散部件并具有以第一顺序布置的第一多个引线。第一多个引线包括第一栅极/基极引线。该模块进一步包括第二半导体装置,该第二半导体装置包括第二离散部件并具有以第二顺序布置的第二多个引线。第二多个引线包括第二栅极/基极引线。第一栅极/基极引线在第一顺序中的位置不同于第二栅极/基极引线在第二顺序中的位置。第一半导体装置和第二半导体装置包括基本上相同的封装尺寸。

根据本发明的一个替代实施例,半导体模块包括具有第一多个引线的第一半导体装置和第二半导体装置。第一半导体装置具有配置为安装散热片的散热片侧。第二半导体装置具有第二多个引线。第二半导体装置具有配置为安装散热片的散热片侧。第一半导体装置的散热片侧面向第二半导体装置的散热片侧。

根据本发明的又一个实施例,一种制造半导体封装的方法,包括提供包括具有第一栅极/基极接触区域的第一类型离散部件的第一半导体装置。提供包括具有第二栅极/基极接触区域的第一类型离散部件的第二半导体装置。第一半导体装置被放置在第一引线框架上,该第一引线框架包括按照与第一半导体装置的第一参考框架相对的第一顺序的第一引线和第二引线。第二半导体装置被放置在第二引线框架上,该第二引线框架包括按照与第二半导体装置的第二参考框架相对的第二顺序的第一引线和第二引线。该第一顺序与该第二顺序相同,且该第一参考框架与该第二参考框架相同。第一栅极/基极接触区域被耦合到第一引线框架的第一引线。第二栅极/基极接触区域被耦合到第二引线框架的第二引线。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优点,现在结合附图对以下描述进行参考,其中:

包括图1A和1B的图1图示了根据本发明的一个实施例的半导体装置的投影视图;

包括图2A和2B的图2图示了根据本发明的实施例的图1中所图示的半导体装置的横截面侧视图;

包括图3A和3B的图3图示了根据本发明的实施例的图1中所图示的半导体装置的截面顶视图;

包括图4A-4D的图4图示了根据本发明的替代实施例的图1中所图示的半导体装置的截面顶视图;

包括图5A和5B的图5图示了根据本发明的实施例的半导体模块,其中图5A图示了投影视图,而图5B图示了穿过电路板的截面顶视图;

包括图6A和6B的图6图示了根据本发明的实施例的半导体模块,其中图6A图示了截面侧视图,而图6B图示了穿过电路板的截面顶视图;

包括图7A和7B的图7图示了根据本发明的实施例的半导体模块,其中图7A图示了侧截面视图,而图7B图示了穿过电路板的截面顶视图;以及

图8-15图示了根据本发明的实施例的制造多个半导体装置的各种阶段。

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