[发明专利]半导体模块及其形成方法

权利要求书

1. 一种半导体模块，包括：

第一半导体装置，具有第一多个引线，该第一多个引线包括第一栅极/基极引线、第一漏极/集电极引线和第一源极/发射极引线；

第二半导体装置，具有第二多个引线，该第二多个引线包括第二栅极/基极引线、第二漏极/集电极引线和第二源极/发射极引线；以及

电路板，具有多个安装孔，其中该第一多个引线和该第二多个引线中的每个被安装到多个安装孔中的相应的一个中，其中在多个安装孔处，从第一栅极/基极引线到第二栅极/基极引线的第一距离不同于从第一源极/发射极引线到第二源极/发射极引线的距离。

2. 根据权利要求1的半导体模块，其中的第一栅极/基极引线被电耦合到第二栅极/基极引线，其中第一源极/发射极引线被电耦合到第二源极/发射极引线，且其中第一漏极/集电极引线被耦合到第二漏极/集电极引线。

3. 根据权利要求1的半导体模块，其中在多个安装孔处，第一漏极/集电极引线和第二漏极/集电极引线之间的第三距离不同于第一距离。

4. 根据权利要求3的半导体模块，其中第三距离不同于第二距离。

5. 根据权利要求1的半导体模块，其中第一源极/发射极引线与第二源极/发射极引线相邻，且其中第一距离大于第二距离。

6. 根据权利要求1的半导体模块，进一步包括被置于电路板中的再分配层，该再分配层包括将第一栅极/基极引线耦合到第二栅极/基极引线的第一金属线、将第一漏极/集电极引线耦合到第二漏极/集电极引线的第二金属线、以及将第一源极/发射极引线耦合到第二源极/发射极引线的第三金属线。

7. 根据权利要求6的半导体模块，其中第一金属线、第二金属线和第三金属线被置于再分配层中的同一垂直金属层级中。

8. 根据权利要求1的半导体模块，进一步包括被置于第一半导体装置和第二半导体装置下方的散热片。

9. 一种半导体模块，包括：

第一半导体装置，包括第一离散部件，并具有以第一顺序布置的第一多个引线，该第一多个引线包括第一栅极/基极引线；以及

第二半导体装置，包括第二离散部件，并具有以第二顺序布置的第二多个引线，该第二多个引线包括第二栅极/基极引线；其中第一顺序中的第一栅极/基极引线的位置不同于第二顺序中的第二栅极/基极引线的位置，且其中第一半导体装置和第二半导体装置包括基本上相同的封装尺寸。

10. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一半导体装置和第二半导体装置通过电路板被平行地耦合。

11. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一离散部件包括离散绝缘栅极双极性晶体管，并且其中第二离散部件也包括离散绝缘栅极双极性晶体管。

12. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一离散部件包括离散金属绝缘体场效应晶体管，并且其中第二离散部件也包括离散金属绝缘体场效应晶体管。

13. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一顺序包括第一栅极/基极引线、继之以第一漏极/集电极引线、继之以第一源极/发射极引线，并且其中第二顺序包括第二源极/发射极引线、继之以第二漏极/集电极引线、继之以第二栅极/基极引线。

14. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一顺序包括第一栅极/基极引线、继之以第一漏极/集电极引线、继之以第一源极/发射极引线，并且其中第二顺序包括第二源极/发射极引线、继之以第二栅极/基极引线、并继之以第二漏极/集电极引线。

15. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一顺序包括第一栅极/基极引线、继之以第一漏极/集电极引线、继之以第一源极/发射极引线，并且其中第二顺序包括第二漏极/集电极引线、继之以第二第二栅极/基极引线、并继之以第二源极/发射极引线。

16. 根据权利要求9的半导体模块，其中第一顺序包括第一栅极/基极引线、继之以第一漏极/集电极引线、继之以第一源极/发射极引线，并且其中第二顺序包括第二漏极/集电极引线、继之以第二源极/发射极引线、并继之以第二栅极/基极引线。