[发明专利]一种硅质聚渣剂的X荧光光谱分析法无效

专利信息
申请号: 201310232564.3 申请日: 2013-06-11
公开(公告)号: CN103278520A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 李奎;王丽晖;张道光 申请(专利权)人: 鞍钢股份有限公司
主分类号: G01N23/223 分类号: G01N23/223;G01N1/28
代理公司: 鞍山华惠专利事务所 21213 代理人: 赵长芳
地址: 114021 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅质聚渣剂 荧光 光谱分析
【权利要求书】:

1.一种硅质聚渣剂的X荧光光谱分析法,其特征在于,具体分析方法和步骤为:

样片制备: 

(1)、称取6.0000g四硼酸锂、0.1000g氟化锂试剂于洁净的铂金锅内,加入0.2000g试样,搅拌,加入5滴饱和硝酸钾溶液和5滴40%的碘化钾溶液;

(2)、将盛装试样的铂金锅放入熔融炉内,在1145-1155℃下熔融14-16min;

(3)、取下铂金锅,冷却至室温;

标准曲线绘制:

(1)、选取10个二氧化硅含量在60-85wt%范围内且具有一定梯度的国家标准样品作为分析样;

(2)、按照“样片制备”的三个步骤将10个国家标准样品熔融成玻璃样品;

(3)、设定X荧光光谱仪分析参数:

a、X光管电压40kV,电流70mA;

b、元素分析时间19-22s;

c、PHA Low Level:15,PHA High Level:130; 

d、Spectrometer: Crystal  PET;

(4)、将熔融完成的10个国家标准样品的样片,用设定完成的X荧光光谱仪依次测定待测元素的强度,并绘制出强度—浓度曲线,计算出回归系数,且保证回归系数不小于0.999;

分析测定:

将熔融完成并冷却的试样放于X荧光光谱仪分析位置,用X荧光光谱仪分析待测元素的强度,并通过待测元素的强度在标准曲线上计算出元素的百分含量。

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