[发明专利]设定存储装置的编程阈值的方法

说明书

本申请是申请号为200580027947.0，申请日为2005年8月8日，发明名称为“设定存储装置的编程阈值的方法及存储装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及有关于客制化（customizing）聚合物存储单元的编程阈值，尤其涉及在后制造阶段设定与/或调整聚合物存储单元的写入和擦除的电压阈值，以在该聚合物存储单元改变状态中编程速度。

背景技术

可携式计算机以及电子装置的激增与使用量的增加已经大大地增加存储单元的需求。数码相机、数码音效播放器、个人数字助理以及其它电子装置通常寻求使用大容量存储单元（例如闪存、智能型媒体、CF卡（Compact Flash）等）。该存储单元一般能使用在各种类型的储存装置。

一般而言，信息储存与保持在一个或一个以上的多种类型储存装置中，储存装置包括长期储存媒体例如，举例来说，硬盘机、光驱以及相应的媒体、数字激光光盘（DVD,digital video disk）机等。长期储存媒体一般以低成本储存大量的信息，但是速度慢于其它类型的储存装置。储存装置也包括存储装置，其往往并非都为短期储存媒体。存储装置倾向实质上快于长期储存媒体。

存储装置包括，举例来说，动态随机存取存储（DRAM）、静态随机存取存储（SRAM）、双倍资料速率存储（DDR；double data rate）、闪存、只读存储器（ROM）等。存储装置又分成挥发性（volatile）与非挥发性（non-volatile）。假如挥发性存储单元失去电源通常会遗失信息，且一般需要定期充电周期以维持其信息。挥发性存储装置包括，举例来说，随机存取存储（RAM）、动态随机存取存储（DRAM）、静态随机存取存储（SRAM）等。非挥发性存储单元不论电源是否持续供给皆可保存其信息。非挥发性存储装置包括，但不局限于只读存储器（ROM）、可编程只读存储器（PROM,programmable read only memory）、可擦除可编程只读存储器（EPROM,erasable programmable read only memory）、闪存等。挥发性存储装置比起非挥发性存储装置一般以较低成本提供较快的运算。

于是，存储装置中的各存储单元能存取或“读取”、“写入”以及“擦除”信息。存储单元以“不导通”或“导通”的状态保存信息（即限制于2种状态），也称为“0”与“1”。一般存储装置为寻址以取回特定数目的字节（例如，每个字节有8个存储单元）。一般对挥发性存储装置来说，为了维持其状态，存储单元必须周期性地“充电”。存储装置通常由执行各种功能的半导体装置制造，并且有转换及维持该两种状态的能力。该装置通常以无机固态技术制造，例如结晶硅（crystalline silicon）装置。

因为信息储存的需求增加，所以存储装置研发者与制造商持续尝试增加存储装置的文件存取速度（如增加写入/读取速度）。然而，一般对存储单元而言，用以运算的编程阈值是固定的，且电路为设计于该固定值与不变值附近。同时，以硅为主的装置即将接近其基本物理尺寸的限制。此外，无机固态装置一般为复杂结构所累，而导致高成本与资料储存密度的损失。因此，有需要克服与已知系统有关的上述述瑕疵。

发明内容

为了提供本发明一个或多个方面以下提出本发明的简要内容的基本了解。该内容并非本发明广泛性的概观。它既不是用来确定本发明的关键或重要组件，也不是用来描述本发明的范畴。更确实的说法应该是，这内容的唯一目的是以简化的形式提出本发明的一些概念作为开头，以下本文会提出更详细的说明。

本发明提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本发明提供电流-电压值域，与/或频率-时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。

所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含施加电压至所述有源层以设定所述存储装置的阻抗状态，所述阻抗状态代表信息内容。

所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含将流经所述存储装置的电流与预定值比较。

所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含将所述存储单元的写入与擦除阈值的至少其中一个设定至预定值。