[发明专利]设定存储装置的编程阈值的方法有效

专利信息
申请号: 201310228388.6 申请日: 2005-08-08
公开(公告)号: CN103337254B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: S·斯皮策;J·H·克里格;D·豪恩 申请(专利权)人: 蒙特利研究有限责任公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 代理人: 王勇,王博
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 设定 存储 装置 编程 阈值 方法
【权利要求书】:

1.一种设定存储装置的编程阈值的方法,包含:

确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压,所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值,所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作;

基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值;以及

通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的设定存储装置的编程阈值的方法,还包含施加电压至所述有源层以设定所述存储装置的阻抗状态,所述阻抗状态代表信息内容。

3.根据权利要求1所述的设定存储装置的编程阈值的方法,还包含将流经所述存储装置的电流与预定值比较。

4.根据权利要求1所述的设定存储装置的编程阈值的方法,还包含将所述存储单元的写入与擦除阈值的至少其中一个设定至预定值。

5.根据权利要求1所述的设定存储装置的编程阈值的方法,基于至少部分理解一图决定差分电压,所述图绘制所述编程阈值作为所述差分电压的函数。

6.根据权利要求5所述的设定存储装置的编程阈值的方法,还包含使所述编程阈值作为所述差分电压的线性函数而变化。

7.一种设定存储装置的编程阈值的方法,包含:

确定聚合物存储单元的下一个编程阶段所需的编程阈值,所述聚合物存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作;

识别相应于所述所需的编程阈值的脉冲宽度;以及

经由所述脉冲宽度来设定所述存储单元的所述编程阈值。

8.根据权利要求7所述的方法,还包含以电源供应电压来平衡存储速度,以在电路设计获得最佳性能。

9.根据权利要求7所述的设定存储装置的编程阈值的方法,所述脉冲宽度是基于至少部分分析一图,所述图绘制所述编程阈值作为脉冲宽度的函数。

10.根据权利要求9所述的设定存储装置的编程阈值的方法,还包含改变所述编程阈值作为脉冲宽度的双曲线函数。

11.根据权利要求7所述的设定存储装置的编程阈值的方法,设定所述存储单元的所述编程阈值包含在所述擦除方向施加电压。

12.根据权利要求11所述的设定存储装置的编程阈值的方法,所施加的所述电压超出根据关于所述所需的编程阈值的量的擦除阈值。

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