[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 201310226001.3 | 申请日: | 2013-06-07 |
公开(公告)号: | CN104241491B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 魏志豪 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种制造发光元件的方法,其包含:提供一载体;施行一涂布步骤,包含涂布一膜层于此载体上;施行一烘烤步骤,包含于第一温度下烘烤此膜层;及重复一预定次数的涂布步骤和烘烤步骤以形成一厚膜层。
技术领域
本发明涉及一发光元件的制造方法,特别是涉及一具有一厚膜层的发光元件制造方法。
背景技术
发光二极管(light-emitting diode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差,以光的形式将能量释放,这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理,因此发光二极管被称为冷光源。此外,发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点,因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望,将其视为新一代的照明工具,已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
图1a是现有的发光元件结构示意图。如图1a所示,现有的发光元件100,包含有一透明基板11、一位于透明基板11上的半导体叠层12,以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上,其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122,以及一第二导电型半导体层124。
此外,上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图1b为现有的发光装置结构示意图,如图1b所示,一发光装置200包含一具有至少一电路150的次载体(sub-mount)21;至少一焊料(solder)22位于上述次载体21上,通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体21上并使发光元件100的基板11与次载体21上的电路150形成电连接;以及,一电连接结构24,以电连接发光元件100的电极14与次载体21上的电路150;其中,上述的次载体21可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一发光元件的制造方法,其步骤包含:提供一载体;施行一涂布步骤,包含涂布一膜层于载体上;施行一烘烤步骤,包含于一第一温度下烘烤此膜层;及重复一预定次数的涂布步骤及烘烤步骤以形成一厚膜层。
本发明提供一发光元件的制造方法,其步骤还包含:提供一第二基板;形成一发光二极管外延结构于第二基板上;形成一接合层于厚膜层上,且通过此接合层将厚膜层与发光二极管外延结构接合;及移除第二基板。
附图说明
图1a为现有的发光元件结构示意图,图1b为现有的发光装置结构示意图;
图2a至图2g为本发明第一实施例制造流程结构示意图;
图3a至图3j为本发明第二实施例制造流程结构示意图;
图4为本发明第三实施例结构示意图。
符号说明
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备,请参照下列描述并配合图2a-图4的附图。
图2a至图2g所示为本发明第一实施例制造流程结构示意图,是包含:提供一第一基板201,如图2a所示;通过有机金属化学气相沉积法(metal-organic chemical vapordeposition;MOCVD)于第一基板201上形成一发光二极管结构205,其中此发光二极管结构205由下而上包含一第一导电型半导体层202,一活性层203及一第二导电型半导体层204,如图2b所示。于本实施例中,一载体210包含第一基板201和发光二极管结构205。
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