[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，其步骤包含：

提供一载体包含一发光二极管结构；

形成多个第一膜层于该发光二极管结构上以支撑该发光二极管结构，其中该多个第一膜层的材料相同；

其中，该多个第一膜层之间相互黏结以形成一第二膜层，该第二膜层的厚度介于100μm至600μm；及

形成一导电反射层直接接触该第二膜层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该第二膜层的方法包含：

施行一涂布步骤，包含涂布该第一膜层于该发光二极管结构上；

施行一烘烤步骤，包含于一第一温度下烘烤该第一膜层；及

重复一预定次数的该涂布步骤和该烘烤步骤以形成该第二膜层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一膜层包含一导电粉体以及一粘结剂用以粘结该导电粉体。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中该载体还包含一第一基板，该发光二极管结构于该第一基板上。

5.如权利要求2所述的制造方法，还包含于一第二温度下施加一压力于该第二膜层。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中该第二温度高于该第一温度。

7.如权利要求1所述的制造方法，于形成该第二膜层之前还包含形成一致密层于该载体上。

8.如权利要求3所述的制造方法，其中该粘结剂的材料包含低温玻璃或纳米级二氧化硅。

9.如权利要求3所述的制造方法，其中该导电粉体材料包含金属氧化物，金属氮化物或磷化镓。

10.如权利要求2所述的制造方法，其中施行该涂布步骤的方法包含旋转涂布法或刮刀涂布法。

11.如权利要求4所述的制造方法，其中所述制造方法的步骤还包含移除该第一基板并形成一电极于发光二极管结构上。

12.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二膜层具有一穿透率介于60％至90％。

13.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二膜层具有一电阻率介于10^-2至10^-4Ω-cm。

14.如权利要求7所述的制造方法，其中形成该致密层的方法包含物理气相沉积法或化学气相沉积法。

15.如权利要求2所述的制造方法，其中该第一膜层的厚度介于10μm至30μm。

16.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二膜层的厚度介于100μm至600μm。

17.一种发光元件的制造方法，其步骤包含：提供一载体包含第一基板和形成于该第一基板上的发光二极管结构；

形成多个第一膜层于该发光二极管结构上以支撑该发光二极管结构，其中该多个第一膜层的材料相同；

其中，该多个第一膜层之间相互黏结以形成一第二膜层，该第二膜层的厚度介于100μm至600μm；

形成一发光二极管外延结构；及

形成一接合层于该第二膜层上，且通过该接合层将该第二膜层与该发光二极管外延结构接合。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中该发光二极管外延结构形成于一第二基板上。

19.如权利要求17所述的制造方法，其中所述制造方法的步骤还包含移除该载体并形成于一导电反射层于第二膜层上。