[发明专利]封装基板及芯片封装构件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种封装基板及芯片封装构件。

背景技术

因半导体芯片数量越来越多的输入输出接脚数，目前集成电路封装领域中已持续朝着高密度封装发展。随着半导体芯片的输入输出接脚数增加，当采用打线封装技术时，相邻接合打线的间隔或线距即变得越来越小，越来越密。

已知半导体芯片为保护其不被外界环境影响破坏，通常会以模塑材料密封包覆。上述模塑材料先被充填或注入模具的模穴内，然后以一定流速流到半导体芯片上，最后经过固化处理，形成封装构件。然而，模塑材料却容易溢流到防焊层上。

上述模塑材溢出的现象会影响到后续打线工艺的可靠度，导致外部接点的不良电性接触以及封装构件外观上的瑕疵。为了去除上述模塑材溢出现象，需额外进行基板的处理工序，此亦造成工艺上的困扰与成本的增加。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明公开了一种封装基板，包含有一基材，以及一坝体结构以及/或一凹沟结构，设于所述基材的至少一面上。其中所述基材包含铜箔基板芯材、模封材料或环氧树脂基底。

根据本发明实施例，上述封装基板可以包含有一基材，具有一第一面以及相对于所述第一面的第二面；一第一防焊层，设在所述基材的第一面；以及一第二防焊层，设在所述基材的第二面，其中至少所述第一防焊层或所述第二防焊层上设有一坝体结构以及/或一凹沟结构。

根据本发明实施例，本发明公开了一种芯片封装构件，包含有一封装基板，包含有一芯片安置面，以及一底面，相对于所述芯片安置面；一半导体芯片，设在所述芯片安置面上；以及一坝体结构以及/或一凹沟结构，设于所述封装基板的芯片安置面上或底面上。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文中特举出本发明的优选实施方式，并配合附图作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与图式仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为依据本发明实施例所绘示的封装基板部分的横断面示意图。

图2是依据本发明另一实施例所绘示的用于DRAM芯片的球栅阵列封装的横断面示意图。

其中，附图标记说明如下：

1    封装基板      24   黏着层

10   基材          26   接合打线

10a  开孔          30   模封材料

12   第一防焊层    100  芯片封装构件

12a  坝体结构      100a 芯片安置面

12b  凹沟结构      100b 底面

14   第二防焊层    200  锡球

20   半导体芯片    210  锡球置入区

22   接合垫

具体实施方式

图1为依据本发明实施例所绘示的封装基板部分的横断面示意图。如图1所示，封装基板1包括一基材10，如铜箔基板芯材，其上具有至少一电路图案。为简化说明，上述的铜箔基板芯材及电路图案在图中并未特别被绘示出来。熟知该项技术的技术人员应理解在芯材两面的电路图案可以通过电镀通孔被电连结起来。此外，封装基板1可以包括有多层的电路图案。封装基板1也可以是不同种类的基板，例如，仅由模封材料构成而未使用铜箔基板芯材或防焊层的基板，或者，基材10可以是环氧树脂基底。

根据本发明实施例，在基材10的第一面提供有一第一防焊层12，且在第一防焊层12上形成有一坝体结构12a，上述坝体结构12a由第一防焊层12的主表面凸出，且具有一宽度w1，例如介于0.001mm至2mm之间，高度h1介于0.001mm至2mm之间。从上往下俯视时，上述坝体结构12a可以有各种不同形状，例如，直线、蛇形或弯曲形状。熟知该项技术的技术人员应理解上述坝体结构12a可以形成在芯材上、模封材料上或者金属层上，端视半导体封装构件选择的基板形式。此外，熟知该项技术的技术人员应理解在其它实施例中，上述坝体结构12a可以与底层(图中标号12)不同材料所构成者。例如，底层(图中标号12)可以是由环氧树脂、铜箔基板、双马来酰亚胺-三氮杂苯(Bismaleimide Triazine，简称BT树脂)、金属或防焊层等，而非只限定在防焊层。