[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

相互分离地形成于所述半导体基板的一主面的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道；

形成于所述第1元件分离用沟道内的第1绝缘物；

被所述第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域；

形成于所述第1元件形成区域的第1半导体元件；

形成于所述第2元件分离用沟道内的第2绝缘物；

被所述第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域；

形成于所述第2元件形成区域的第2半导体元件；以及

形成于所述第1元件分离用沟道和所述第2元件分离用沟道之间的应力缓和结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述应力缓和结构具备相对于所述第1元件分离用沟道倾斜角度θ且形成于所述一主面的沟道，其中，0°＜θ＜90°。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述应力缓和结构具备针对所述半导体基板赋予与所述第1绝缘物所赋予的应力相反方向的应力的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述应力缓和结构具备形成于所述半导体基板的一主面的沟道和形成于所述沟道内的第3绝缘物，在所述第3绝缘物形成有缝隙。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述应力缓和结构具备形成于所述半导体基板的一主面且在内部具有空隙的沟道。

6.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

相互分离地形成于所述半导体基板的一主面的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道；

形成于所述第1元件分离用沟道内的第1绝缘物；

被所述第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域；

形成于所述第1元件形成区域的第1半导体元件；

形成于所述第2元件分离用沟道内的第2绝缘物；

被所述第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域；以及

形成于所述第2元件形成区域的第2半导体元件，

所述第2元件分离用沟道具备相对于与从所述第1元件分离用沟道朝向所述第2元件分离用沟道的方向垂直的方向倾斜角度θ，且形成于所述一主面的沟道，其中，0°＜θ＜90°。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

将结构体形成于半导体基板的一主面的工序，该结构体具备相互分离的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道、形成于所述第1元件分离用沟道内的第1绝缘物、被所述第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域、形成于所述第2元件分离用沟道内的第2绝缘物、被所述第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域、以及形成于所述第1元件分离用沟道和所述第2元件分离用沟道之间的应力缓和结构；

然后，在所述第1元件形成区域形成第1半导体元件，在所述第2元件形成区域形成第2半导体元件的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和结构具备相对于所述第1元件分离用沟道倾斜角度θ且形成于所述一主面的沟道，其中，0°＜θ＜90°。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和结构具备针对所述半导体基板赋予与所述第1绝缘物所赋予的应力相反方向的应力的材料。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和结构具备形成于所述半导体基板的一主面的沟道和形成于所述沟道内的第3绝缘物，在所述第3绝缘物形成有缝隙。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和结构具备形成于所述半导体基板的一主面且在内部具有空隙的沟道。