[发明专利]一种发光二极管的外延片

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为多周期结构，每个周期包括In_xGa_1-xN层和生长在所述In_xGa_1-xN层上的GaN层，所述应力释放层各周期结构中的In_xGa_1-xN层的厚度从下至上递增。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层各周期结构中的In_xGa_1-xN层的In含量从下至上递增。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_1-xN层中，x的取值范围为0.03～0.1。

4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层每个周期结构中的GaN层分别掺杂有Si。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层各周期结构中的GaN层的Si的掺杂浓度从下至上递减。

6.根据权利要求1至5任一权利要求所述的外延片，其特征在于，所述多周期结构中至少一个周期结构的In_xGa_1-xN层为多层结构。

7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述多层结构包括第一子层和设于所述第一子层上的第二子层，所述第一子层和所述第二子层均包括若干个In_xGa_1-xN层，且所述第一子层各In_xGa_1-xN层中的In含量从下至上递增，所述第二子层各In_xGa_1-xN层中的In含量从下至上递减。

8.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述多层结构包括第三子层、以及依次层叠在所述第三子层上的第四子层和第五子层，所述第三子层、所述第四子层和所述第五子层均包括若干个In_xGa_1-xN层，且所述第三子层中各In_xGa_1-xN层的In含量从下至上递增，所述第四子层中各In_xGa_1-xN层的In含量从下至上保持不变，所述第五子层中的各In_xGa_1-xN层的In含量从下至上递减。

9.根据权利要求1至5任一项所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构由In_aGa_1-aN层和GaN层相互交叠而成，且所述应力释放层各周期结构中的In_xGa_1-xN层的In含量均低于所述In_aGa_1-aN层的In含量。

10.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述p型层包括依次层叠在所述多量子阱上的p型电子阻挡层和p型GaN接触层。