[发明专利]裸片堆叠系统及装置有效

专利信息
申请号: 201310219251.4 申请日: 2008-05-16
公开(公告)号: CN103296015B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 亨利·桑切斯;拉克西米纳拉扬·夏尔马 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/488
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 系统 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其包含:

第一裸片装置,其具有表面,所述表面包括钝化表面、接合垫表面及导电裸片容纳表面,其中所述导电裸片容纳表面具有导电表面区域,所述导电表面区域比与其电耦合的第二裸片装置的占地面积大,其中所述导电容纳表面大于所述接合垫表面,其中,在没有使用到所述导电裸片容纳表面的引线接合的情况下,所述第一裸片装置经由所述导电裸片容纳表面电耦合到所述第二裸片装置,所述导电裸片容纳表面没有电耦合到引线接合,且所述第二裸片装置与所述导电裸片容纳表面的至少一部分接触。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电表面区域为至少10,000平方微米。

3.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含具有至少10,000平方微米的第二导电表面区域的第二导电裸片容纳表面。

4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第二导电表面区域大于要与其电耦合的第三裸片装置的占地面积。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述第三裸片装置包括通信电路。

6.根据权利要求4所述的装置,其进一步包括耦合到所述第二裸片装置的第四裸片装置。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二裸片装置电连接到所述第一裸片装置。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一裸片装置为硅上互补金属CMOS装置、绝缘体上硅SOI装置、体半导体装置、硅锗装置及砷化镓装置中的一者,且其中所述第二裸片装置与所述第一裸片装置类型不同。

9.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一裸片装置是CMOS型的装置,并且所述第二裸片装置是非CMOS型的装置。

10.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一裸片装置具有第一成品率且所述第二裸片装置具有第二成品率。

11.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一裸片装置包括功率管理电路且所述第二裸片装置包括数据处理电路。

12.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一裸片装置包括功率管理电路且所述第二裸片装置包括显示器电路。

13.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置被集成到选自由下列设备组成的组中的设备:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、固定位置数据单元,以及计算机。

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