[发明专利]一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺

权利要求书

1.一种薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）选取具有第一导电类型的硅片，经过在硅片预定位置开设通孔、以及制绒、扩散、通孔背结保护和刻蚀工艺后形成具有通孔的电池衬底；

2）去除所述电池衬底表面的PSG；

3）向该电池衬底上所述通孔内填充浆料，并制备背面电极，然后烘干；

4）制备背面背场，然后烘干；

5）制备电池正面电极，然后烘干；

6）在步骤4）所形成的电池衬底上表面镀减反射膜，该减反射膜完全覆盖正面电极；

7）经烧结后测试分选。

2.根据权利要求1所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述步骤6）中所述减反射膜为氮化硅膜。

3.根据权利要求1所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述步骤5）中利用丝网印刷技术制备正面电极。

4.一种薄膜覆盖MWT结构SE太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）选取具有第一导电类型的硅片，经过在硅片预定位置开设通孔、以及制绒、扩散、通孔背结保护、刻蚀工艺形成具有通孔的电池衬底；

2）在所述电池衬底表面打印掩膜，将电极下方需要重掺杂区域遮蔽起来；

3）刻蚀所述带有掩膜的电池衬底，去除硅片周围多余的PN结；

4）去除所述电池衬底表面的PSG，对未被石蜡掩膜遮蔽的区域进行刨结处理，处理完毕后去除石蜡掩膜；

5）向该电池衬底上所述通孔内填充浆料，并制备背面电极，然后烘干；

6）制备背面背场，然后烘干；

7）制备电池的正面电极，然后烘干；

8）在步骤7）所形成的电池衬底上表面镀减反射膜，该减反射膜完全覆盖正面电极；

9）经烧结后测试分选。

5.根据权利要求4所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述步骤8）中所述减反射膜为氮化硅膜。

6.根据权利要求1或4所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述第一导电类型为P型。

7.根据权利要求4所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述步骤7）采用喷墨打印制作电池的正面电极。

8.一种根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺生产的薄膜覆盖MWT太阳能电池，包括减反射膜和正面电极，其特征在于，该电池的减反射膜完全覆盖正面电极。

9.根据权利要求8所述的一种薄膜覆盖MWT太阳能电池，其特征在于，所述减反射膜为氮化硅膜。