[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤一：提供一衬底；

步骤二：在所述衬底上依次沉积形成金属层和第一介质层；

步骤三：刻蚀所述第一介质层和金属层，形成金属连线和金属连线上的第一介质层图案，暴露出部分衬底；

步骤四：在所述衬底和第一介质层图案上沉积形成阻隔材料层；

步骤五：对所述阻隔材料层进行刻蚀，在相邻的所述金属连线之间形成至少一个阻隔体，所述阻隔体与相邻的一条金属连线之间的距离小于等于预定值；

步骤六：在所述衬底、第一介质层图案和阻隔体上形成第二介质层，并在所述金属连线和阻隔体之间和/或相邻的阻隔体之间的第二介质层中形成间隙。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤四和步骤五之间还包括：对所述阻隔材料层进行化学机械研磨，使第一介质层图案的表面暴露出来。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，相邻的所述阻隔体之间的距离小于等于预定值。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜或铝。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一介质层、阻隔材料层和第二介质层的材料均为氮化硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述间隙为空气间隙或者真空间隙。