[发明专利]模数转换器前端电路有效
申请号: | 201310217847.0 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103248365A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 李福乐;许丽丽;张春;王志华 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03M1/54 | 分类号: | H03M1/54 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换器 前端 电路 | ||
1.一种模数转换器前端电路,其特征在于,包括:MDAC支路和ADC支路,其中:
所述MDAC支路,用于接收输入电压Vin,输出余差电压Vout,其中,MDAC支路进一步包括:第一电容(Cs1)、第二电容(Cs2)和运算放大器OTA,所述第一电容(Cs1)和第二电容(Cs2)的底板通过第一时钟相CK1a连接输入电压Vin,顶板和所述运算放大器OTA的反向输入端通过第三时钟相CK1c接地,所述运算放大器OTA的正向输入端接地,所述运算放大器OTA的输出端输出的余差电压Vout通过第六时钟相CK2a连接所述第一电容(Cs1)的底板,所述第二电容(Cs2)的底板通过第六时钟相CK2a连接电压VDA,VDA等于参考电压Vrp或者参考电压Vrn,由所述ADC支路输出的A/D转换结果Dout控制;
所述ADC支路,用于接收输入电压Vin,输出A/D转换结果Dout,其中,ADC支路进一步包括:第三电容(Ccmp)、预放大器PreAmp和锁存器Latch,所述第三电容(Ccmp)的底板分别通过第二时钟相CK1b和第四时钟相NCK1b连接输入电压Vin和阈值电压Vth,所述第三电容(Ccmp)的顶板和所述预放大器PreAmp的输入端通过第三时钟相CK1c接地,所述预放大器PreAmp的输出端的输出电压接所述锁存器Latch的输入端,所述锁存器Latch的输出端输出A/D转换结果Dout;
再其中,所述锁存器Latch在第一时钟相CK1a的控制下工作,所述预放大器PreAmp在第五时钟相NCK1a的控制下工作。
2.如权利要求1所述的模数转换器前端电路,其特征在于,所述锁存器Latch包括第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4),第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)和第三PMOS管(PM3);
所述预放大器PreAmp包括第五NMOS管(NM5)、第六NMOS管(NM6)和第七NMOS管(NM7),第四PMOS管(PM4)和第五PMOS管(PM5);
第一PMOS管(PM1)的源极接基准电压VDD,栅极接第一时钟相CK1a,漏极与第二PMOS管(PM2)和第三PMOS管(PM3)的源极相连;
第二PMOS管(PM2)的源极与第一PMOS管(PM1)的漏极相连,栅极与第一NMOS管(NM1)的栅极相连,漏极与第一NMOS管(NM1)和第二NMOS管(NM2)的漏极相连;
第三PMOS管(PM3)的源极与第一PMOS管(PM1)的漏极相连,栅极与第三NMOS管(NM3)的栅极相连,漏极与第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4)的漏极相连;
第一NMOS管(NM1)的栅极与第二PMOS管(PM2)的栅极相连,漏极与第二PMOS管(PM2)的漏极和第二NMOS管(NM2)的漏极相连,第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4)的源极共同接地;
第二NMOS管(NM2)的漏极与第二PMOS管(PM2)的漏极和第一NMOS管(NM1)的漏极相连,栅极与第四PMOS管(PM4)的漏极和第五NMOS管(NM5)的漏极相连,第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4)的源极共同接地;
第三NMOS管(NM3)的栅极与第三PMOS管(PM3)的栅极相连,漏极与第三PMOS管(PM3)的漏极和第四NMOS管(NM4)的漏极相连,第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4)的源极共同接地;
第四NMOS管(NM4)的漏极与第三PMOS管(PM3)的漏极和第三NMOS管(NM3)的漏极相连,栅极与第五PMOS管(PM5)的漏极和第六NMOS管(NM6)的漏极相连,第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4)的源极共同接地;
第四PMOS管(PM4)和第五PMOS管(PM5)的源极接基准电压VDD,栅极接第五时钟相NCK1a,第四PMOS管(PM4)的漏极与第二NMOS管(NM2)的栅极和第五NMOS管(NM5)的漏极相连,第五PMOS管(PM5)的漏极与第四NMOS管(NM4)的栅极和第六NMOS管(NM6)的漏极相连;
第五NMOS管(NM5)的漏极与第四PMOS管(PM4)的漏极和第二NMOS管(NM2)的栅极相连,源极与第六NMOS管(NM6)的源极和第七NMOS管(NM7)的漏极相连,栅极接输入差值电压的正极VIn+;
第六NMOS管(NM6)的漏极与第五PMOS管(PM5)的漏极和第四NMOS管(NM4)的栅极相连,源极与第五NMOS管(NM5)的源极和第七NMOS管(NM7)的漏极相连,栅极接所述输入差值电压的负极VIn-;
第七NMOS管(NM7)的漏极与第五NMOS管(NM5)的源极和第六NMOS管(NM6)的源极相连,源极接地,栅极接第五时钟相NCK1a;
第五NMOS管(NM5)的漏极、第四PMOS管(PM4)的漏极和第二NMOS管(NM2)的栅极共同输出电压正极VDi+,第六NMOS管(NM6)的漏极、第五PMOS管(PM5)的漏极和第四NMOS管(NM4)的栅极共同输出电压的正极VDi-;
第二PMOS管(PM2)的漏极和第三PMOS管(PM3)的栅极共同输出A/D转换结果的正极Dout+,第二PMOS管(PM2)的栅极和第三PMOS管(PM3)的漏极共同输出A/D转换结果的负极Dout-。
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