[发明专利]薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及通过生成沉积源的蒸汽从而在对象表面形成薄膜的薄膜形成装置，尤其涉及以等离子蚀刻方式形成图案的薄膜形成装置及使用该装置的薄膜形成方法。

背景技术

例如，在如形成有机发光显示装置的薄膜的工序等薄膜制造工序中，经常使用通过生成沉积源的蒸汽、并使其附着在基板表面上的沉积工序。

另外，作为以一定的图案形成薄膜的方法有：在沉积时通过使用图案掩模板，以在进行沉积的同时实施图案化的方法；以及进行沉积以使得薄膜形成在对象的整个表面上，最后以等离子蚀刻方式对不需要的部分进行蚀刻的方法。近年来，由于考虑到可以简化沉积过程的优点，因此优选采用以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化的后一方法。

但是，如上所述，当以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化时，经常发生不应该被去除的部分也被等离子气体蚀刻，从而难以准确地实施图案化。即，经常发生等离子气体不仅对应该被去除的区域进行准确的去除，而且对应该被保留的相邻正常残留区域也进行蚀刻。此时，产品的质量会急剧下降，因此需要用于解决上述现象的方案。

发明内容

本发明的实施例提供一种改善的薄膜形成装置及使用该装置的薄膜形成方法，从而在进行等离子蚀刻时不损伤正常残留区域。

根据本发明实施例的薄膜形成装置包括：掩模板，具有用于形成预定图案的阻断部和开放部，并且设置在形成有薄膜的基板上；以及蚀刻源，通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜；其中，所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。

在所述掩模板还可以包括：用于调整所述开放部的尺寸的关闭件（shutter）。

所述蚀刻气体可以是等离子气体。

所述蚀刻源可以被固定设置成与所述掩模板的开放部相对应。

所述蚀刻源可以用于对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。

所述蚀刻源可以用于在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。

所述蚀刻源可以包括：喷射部，用于喷射所述蚀刻气体；气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及排气部，用于向外部排出周围空气。

此外，根据本发明实施例的薄膜形成方法包括：在形成有薄膜的基板上设置具有用于形成预定图案的阻断部和开放部的掩模板；通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜；以及运行所述掩模板所包含的气体吹动器以向所述开放部周围吹入气体，使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域。

其中还可以包括：通过所述掩模板所包含的关闭件来调整所述开放部的尺寸。

所述蚀刻气体可以是等离子气体。

所述蚀刻源可以与所述掩模板的开放部对应地喷射所述蚀刻气体。

所述蚀刻源可以对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。

所述蚀刻源可以在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。

所述蚀刻源可以包括：喷射部，用于喷射所述蚀刻气体；气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及排气部，用于向外部排出周围空气。

根据如上所述的本发明的薄膜形成装置和薄膜形成方法，可以对薄膜进行准确且稳定的图案化，因此当采用上述装置或方法时，可以稳定产品的质量，并且提高生产效率。

附图说明

图1是表示根据本发明一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。

图2是表示根据本发明另一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。

图3是表示根据本发明再一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。

图4是表示本发明的薄膜形成装置所包括的蚀刻源的内部结构的示意图。

具体实施方式

下面，参考附图，详细说明本发明的优选实施例。

首先，参考图1和图4，说明根据本发明一实施例的薄膜形成装置。

如图1所示，根据实施例的薄膜形成装置包括：掩模板100，设置在形成有薄膜（未图示）的基板300上；以及蚀刻源200，用于通过该掩模板100选择性地蚀刻基板300上的薄膜、并予以去除。