[发明专利]薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法有效
申请号: | 201310217321.2 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103811678B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 朱星中;车裕敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 利用 方法 | ||
1.一种薄膜形成装置,包括:
掩模板,具有用于形成预定图案的多个阻断部和与所述阻断部交替设置的多个开放部,并且设置在形成有薄膜的基板上;以及
蚀刻源,通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体,从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜;
其中,所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至所述掩模板与所述基板之间的与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,所述掩模板还包括:
关闭件,用于调整所述开放部的尺寸。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻气体是等离子气体。
4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源被固定设置成与所述掩模板的开放部相对应。
5.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源用于对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源用于在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,所述蚀刻源包括:
喷射部,用于喷射所述蚀刻气体;
气帘部,用于在所述喷射部周边形成气帘;以及
排气部,用于向外部排出周围空气。
8.一种薄膜形成方法,包括:
在形成有薄膜的基板上设置具有用于形成预定图案的多个阻断部和与所述阻断部交替设置的多个开放部的掩模板;
由蚀刻源通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体,从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜;以及
运行所述掩模板所包含的气体吹动器以向所述开放部周围吹入气体,使得所述蚀刻气体不会渗透至所述掩模板与所述基板之间的与所述阻断部对应的薄膜区域。
9.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,还包括:
通过所述掩模板所包含的关闭件来调整所述开放部的尺寸。
10.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,其中,
所述蚀刻气体是等离子气体。
11.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,其中,
所述蚀刻源与所述掩模板的开放部对应地喷射所述蚀刻气体。
12.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,其中,
所述蚀刻源对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
13.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,其中,
所述蚀刻源在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
14.根据权利要求8所述的薄膜形成方法,其中,所述蚀刻源包括:
喷射部,用于喷射所述蚀刻气体;
气帘部,用于在所述喷射部周边形成气帘;以及
排气部,用于向外部排出周围空气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择