[发明专利]基于晶体谐振器的光功率参数测量方法和装置有效
| 申请号： | 201310217262.9 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104215326A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈绍武;丁彬;刘福华;斯阳;杨鹏翎;黄伟;吴勇;王平;冯刚;陶蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所;东华大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 晶体 谐振器 功率 参数 测量方法 装置 | ||
1.一种基于晶体谐振器的光功率参数测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
[1]晶体谐振器起振，测量谐振频率本底值f0；
[2]将功率为p1的稳定输出的标定光束入射至晶体谐振器工作面，测量得到谐振频率的峰值f1；
[3]待测量光束入射至晶体谐振器的工作面，测量得到谐振频率值的峰值f；
[4]待测量光束的光功率为：
p=p1(f-f0)/(f1-f0)，其中p为待测量光束的光功率。
2.一种基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：包括晶体谐振器（3）、起振电路（4）和频率测量单元（5），所述的起振电路（4）的输入端与晶体谐振器（5）的电极相连，所述的起振电路（4）的输出端与频率测量单元（5）电连接，所述待测量光束（2）入射在晶体谐振器（3）的工作面（21）。
3.根据权利要求2所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述晶体谐振器（3）的工作面（21）镀有对待测量光束高反射的介质高反射膜。
4.根据权利要求3所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的介质高反射膜的反射率大于99%。
5.根据权利要求2所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的晶体谐振器（3）为石英晶振。
6.根据权利要求5所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的石英晶振的谐振频率为1～20MHz。
7.根据权利要求5或6所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的石英晶振工作面的尺度为5～50mm。
8.根据权利要求5或6所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的石英晶振为AT切型。
9.根据权利要求2所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述晶体谐振器（3）的电极为锚型电极，所述电极与起振电路的连接点（23、24）设置在工作面的背面。
10.根据权利要求2所述的基于晶体谐振器的光功率参数测量装置，其特征在于：所述的光束为功率大于10mW的激光束。
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