[发明专利]半导体存储器器件和存储器基元电压施加方法

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

多个平行的字线；

多个平行的位线，其被形成为与所述多个字线相交；

多个存储器基元，其被设置在所述字线与所述位线的交叉处，每一个存储器基元的一端连接到所述多个字线中的一个而另一端连接到所述多个位线中的一个；

控制电路，其操作为执行读取操作和写入操作，其中

所述控制电路被配置为从所述存储器基元中的一个存储器基元读出数据，

如果读出的所述数据为第一电平，所述控制电路将第一电压施加到所述多个平行的位线中的一个位线，且

如果读出的所述数据为第二电平，所述控制电路将基于所述存储器基元的物理地址而产生的第二电压施加到所述位线。

2.根据权利要求1的半导体存储器器件，还包括：

存储电路，其中

所述控制电路包括读出放大器电路和位线驱动辅助电路，并被配置为将由所述读出放大器电路读出的所述数据存储到所述存储电路，且

所述位线驱动辅助电路基于在所述存储电路中存储的所述数据而选择性地调整所述位线上的电势。

3.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中

每个所述存储器基元包括可变电阻器和串联连接到所述可变电阻器的二极管，所述可变电阻器操作为将可逆设定的电阻存储为数据。

4.根据权利要求2的半导体存储器器件，其中

所述位线中的一个或两个或更多个位线使其电势通过所述位线驱动辅助电路而被调整。

5.根据权利要求2的半导体存储器器件，其中

所述位线驱动辅助电路将修正电压将修正电压供应到所述位线以选择性地调整所述位线上的电势，基于所述存储器基元的物理地址来确定所述修正电压。

6.根据权利要求2的半导体存储器器件，还包括：

熔丝，其被设置为存储先前测量的在特定存储器基元中的电流值，其中

所述位线驱动辅助电路将修正电压供应到所述位线以选择性地调整所述位线上的电势，基于所述熔丝的数据来确定所述修正电压。

7.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中，

所述控制电路包括读出放大器电路和位线驱动辅助电路，

所述读出放大器电路包括存储电路，所述存储电路操作为存储读出的数据，且

所述位线驱动辅助电路基于在所述存储电路中存储的数据而选择性地调整在所述位线上的电势。

8.根据权利要求2的半导体存储器器件，其中

所述读出放大器电路包括：

第一充电/放电电容电路，其操作为根据在特定的存储器基元中流动的电流来积累电荷持续特定的时长，以及

第二充电/放电电容电路，其操作为积累特定的电荷持续特定的时长，其中

如果在所述特定的时长之后在所述第二充电/放电电容电路上的充电电压大于在所述第一充电/放电电容电路上的充电电压，则将在所述第二充电/放电电容电路中的电荷供应到所述第一充电/放电电容电路，而如果在所述特定的时长之后在所述第二充电/放电电容电路上的充电电压小于在所述第一充电/放电电容电路上的充电电压，则保持所述第二充电/放电电容电路中的电荷，然后将在所述第二充电/放电电容电路上的所述充电电压存储在所述存储电路中。

9.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中

所述控制电路具有列控制电路和字线驱动电路，且

所述字线驱动电路被配置为将第三电压施加到所述多个平行的字线中的一个字线。

10.根据权利要求9的半导体存储器器件，其中

所述第一电压等于所述第三电压。

11.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中

所述第二电压低于所述第一电压。

12.根据权利要求9的半导体存储器器件，其中

所述第二电压低于所述第三电压。

13.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中

所述控制电路在设定操作中从所述存储器基元读出数据。

14.根据权利要求1的半导体存储器器件，其中

所述控制电路在重设操作中从所述存储器基元读出数据。