[发明专利]包括非易失性存储器件的存储设备及修复方法

说明书

相关申请的交叉引用

要求于2012年6月1日提交的韩国专利申请第10-2012-0059357号的优先权，其主题通过引用结合于此。

技术领域

本发明一般涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括非易失性存储器件的存储设备及其修复方法。

背景技术

半导体存储器件就其操作性质而言可以是易失性的或非易失性的。易失性半导体存储器件可以以相对高的速率执行读操作和写操作，但是当电力中断时存储的数据会丢失。非易失性半导体存储器件能够在施加的电力消失时保持存储的数据。

非易失性半导体存储器件包括，例如，掩模只读存储器（MROM）、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）等等。快闪存储器是EEPROM的一种，并且已经在许多应用中被广泛地采用。例如，快闪存储器通常用来在诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数码相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等等的信息装置（information appliance）中存储声音和图像数据。

近来，已经对包括堆叠或三维（3D）存储单元阵列（memory cell array）的现代非易失性存储器件的发展进行了大量的研究。

发明内容

本发明构思的实施例的一个方面在于提供一种存储设备，其包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块的编程次序可以与存储单元的布置无关地进行调整；以及存储器控制器，其控制非易失性存储器件并且执行地址映射以便用存储块的正常页替换存储块的坏页（bad page)。

本发明构思的实施例的另一个方面在于提供一种存储设备，其包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括存储块，每个存储块具有与存储单元的布置无关的可变编程次序；以及存储器控制器，其控制非易失性存储器件并且执行地址映射以便用存储块中的第二存储块的正常页替换存储块中的第一存储块的坏页，其中第一存储块的正常页根据从存储器控制器提供的页地址来访问。

本发明构思的实施例的又一个方面在于提供一致包括存储块的非易失性存储器件的修复方法，在存储块中多条字线以垂直于基底的方向堆叠。该修复方法包括：确定输入的页地址是否对应于位于存储块的主区域（main area）的坏页；以及根据确定结果将坏页的地址映射到存储块的保留区域（reserved area）的正常页的地址。

附图说明

从以下参考附图的描述，上述及其它目的和特征将变得清楚，其中除非另外说明，否则各个附图中相同的参考标号始终指代相同的部分，并且其中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的存储设备的框图。

图2是示出图1中的存储块之一的透视图。

图3是示出根据本发明构思的实施例的修复方法的概念图。

图4是示出图3中的存储块的修复方法的概念图。

图5是示出根据本发明构思的实施例的坏页修复表的概念图。

图6是进一步示出根据本发明构思的实施例的保留区域的部分电路图。

图7是示出以字线为单位来修复图6中的存储块的实施例的示图。

图8是示出以页为单位来修复存储块的实施例的示图。

图9是进一步示出根据本发明构思的实施例的保留区域的部分电路图。

图10是示出存储块是以串选择线（string selection line）为单位来修复的实施例的示图。

图11是示出存储块是以页为单位来修复的实施例的示图。

图12是示出本发明构思的另一个实施例的概念图。

图13是根据本发明构思的另一个实施例的非易失性存储器件的透视图。

图14是概述图1中的存储设备的地址映射方法的流程图。

图15是示出根据本发明构思的实施例的、包括固态驱动器的用户设备的框图。

图16是示出根据本发明构思的另一个实施例的存储系统的框图。

图17是示出根据本发明构思的实施例的、包括快闪存储器件的计算系统的框图。

具体实施方式