[发明专利]包括非易失性存储器件的存储设备及修复方法有效
申请号: | 201310217089.2 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103455384B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 李俊镐;白种南;咸东勋;柳相旭;黄仁珆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 刘虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 非易失性存储器 存储 设备 修复 方法 | ||
1.一种存储设备,包括:
非易失性存储器件,其包括存储块,其中所述存储块中的存储单元按页来布置并且根据编程次序来编程,所述编程次序是与所述存储块中的存储单元的物理布置无关地可调整的;以及
存储器控制器,其通过执行逻辑页地址映射以使所述存储块的坏页被替换为所述存储块的正常页,来控制所述存储块中的存储单元的逐页编程,
其中所述存储块具有三维(3D)结构,在所述三维结构中所述存储单元以垂直于基底的方向堆叠。
2.如权利要求1所述的存储设备,其中所述存储器控制器被配置为根据所述存储块的字线将所述存储块划分为主区域和保留区域,以及
所述逻辑页地址映射包括重新映射所接收的逻辑页地址以使主区域的坏页被替换为保留区域的正常页。
3.如权利要求2所述的存储设备,其中所接收的逻辑页地址对应于所述存储块中的共同连接到布置在主区域中的第一字线的存储单元的第一页,以及从所接收的逻辑页地址的重新映射得到的逻辑页地址对应于所述存储块中的共同连接到不同于第一字线的并且布置在保留区域中的第二字线的存储单元的第二页。
4.如权利要求1所述的存储设备,其中所述存储单元是多级存储单元。
5.如权利要求1所述的存储设备,其中所述存储器控制器被配置为根据所述存储块的选择线将所述存储块划分为主区域和保留区域,以及
所述逻辑页地址映射包括重新映射接收的逻辑页地址以使主区域的坏页被替换为保留区域的正常页。
6.如权利要求5所述的存储设备,其中所接收的逻辑页地址对应于所述存储块中的共同连接到布置在主区域中的第一选择线的存储单元的第一页,以及从所接收的逻辑页地址的重新映射得到的逻辑页地址对应于所述存储块中的共同连接到不同于第一选择线的并且布置在保留区域中的第二选择线的存储单元的第二页。
7.如权利要求1所述的存储设备,其中所述存储器控制器包括被配置为存储定义坏页地址映射的信息的坏页修复表。
8.一种存储设备,包括:
非易失性存储器件,其包括多个存储块,所述多个存储块包括第一存储块和第二存储块,所述多个存储块中的每一个包括存储单元,所述存储单元根据与所述多个存储块的每一个中的存储单元的布置无关地可变的编程次序来编程;以及
存储器控制器,其通过执行逻辑页地址映射以便用第二存储块的正常页来替换第一存储块的坏页,来控制所述存储块中的存储单元的逐页编程,
其中所述存储块具有三维(3D)结构,在所述三维结构中所述存储单元以垂直于基底的方向堆叠。
9.如权利要求8所述的存储设备,其中包括在第一存储块和第二存储块中的存储单元是被配置为存储至少两个数据位的多级单元。
10.如权利要求9所述的存储设备,其中所述坏页和所述正常页对应于所述多级单元所存储的多个逻辑页中的至少一个。
11.如权利要求9所述的存储设备,其中与共同连接到第一存储块的第一字线的存储单元的第一页对应的第一逻辑页地址被地址映射到与共同连接到第二存储块的第二字线的存储单元的第二页的第二逻辑页地址上。
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