[发明专利]MWT太阳能电池及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造领域，具体而言，涉及一种MWT太阳能电池及其制备方法。

背景技术

在制备带有背场的MWT太阳能电池的过程中，需要将正面栅线通过过孔浆料引到背面，并在背面形成一个直径2至5mm的浆料点，以方便形成组件。激光打孔时的高温会对孔壁及激光入射面处形成损伤层，损伤层中的载流子复合中心降低光生载流子寿命并导致电池漏电；过料孔正面栅线和背面栅线需要进行绝缘处理，由于背面扩散场的存在，过孔浆料点与硅片接触处的地方会导致漏电。因此需要将打孔造成的损伤层和孔周围（过孔浆料点与硅片接触处）的背场去除，以解决漏电的问题。

目前去除背场的方法一般采用激光去除或腐蚀去除。激光去除一般是在形成背场后，使用激光去除指定区域一定深度的硅，达到去除背场的目的。此方法可以通过激光一步完成打孔和孔周围背场去除的工作，工艺流程简单，有利于成本控制。但是激光的高温辐照会对硅材料造成损伤，损伤层中存在大量的载流子复合中心，光生载流子寿命大大降低，且不可能被p-n结静电场分离，导致太阳能电池漏电电流过大，影响电池光电转换性能。

腐蚀去除一般是在形成背场后在需要去除背场位置丝网印刷腐蚀浆料、烘干、清洗、利用腐蚀浆料达到去除背场的目的，再进行后续工艺。此种方法能够通过控制浆料浓度、印刷量及烘干等条件来控制腐蚀深度，较好的达到去除背场的目的。但此种方法中腐蚀浆料印刷在以过料孔为中心的一定区域内，此时需严格控制腐蚀浆料的参数条件，防止腐蚀浆料通过过料孔污染印刷台面，并污染后续印刷的硅片。另外这种方法增加了丝网印刷、烘干、清洗工艺，工艺流程复杂，成本较高。

发明内容

本发明旨在提供一种MWT太阳能电池及其制备方法，以解决现有技术中去除MWT太阳能电池的背场的工艺流程复杂、去除背场成本高的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种MWT太阳能电池制备方法包括以下步骤：通过激光去除MWT太阳能电池基底背面的指定区域的减反膜，形成无减反膜区域；将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗，去除无减反膜区域的背场、激光损伤和过料孔内损伤。

进一步地，将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗的步骤中，强碱性溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，氢氧化钾溶液的浓度为5%至50%，氢氧化钠溶液的浓度为5%至50%。

进一步地，通过激光去除MWT太阳能电池基底背面的指定区域的减反膜，形成无减反膜区域的步骤之前还包括以下步骤：对MWT太阳能电池基底进行清洗、制绒、扩散发射极、扩散背场、边缘绝缘处理；在MWT太阳能电池基底上下表面形成减反膜；在MWT太阳能电池基底的指定位置打过料孔。

进一步地，对MWT太阳能电池基底进行清洗、制绒、扩散发射极、扩散背场、边缘刻蚀处理的步骤中，扩散发射极是在MWT太阳能电池基底的正面进行的。

进一步地，在MWT太阳能电池基底指定位置打过料孔的步骤中，过料孔的直径为50μm至500μm。

进一步地，将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗的步骤中，5%至50%浓度的氢氧化钾溶液或5%至50%浓度的氢氧化钠溶液的温度为30摄氏度至80摄氏度，MWT太阳能电池的清洗时间为30s至300s。

进一步地，氢氧化钾溶液的浓度为30%，温度为80摄氏度，清洗时间为60s。

进一步地，去除无减反膜区域的背场、激光损伤和过料孔内损伤的步骤之后还包括：将MWT太阳能电池基底放入水溶液中进行清洗，清洗时间大于1min。

进一步地，将MWT太阳能电池基底放入水溶液中进行清洗的步骤之后还包括以下步骤：在MWT太阳能电池基底背面印刷过孔浆料，并烘干；在MWT太阳能电池基底背面印刷背面栅线，并烘干；在MWT太阳能电池基底正面印刷正面栅线，并烘干；对MWT太阳能电池基底进行烧结处理。

根据本发明的另一方面，提供一种MWT太阳能电池，MWT太阳能电池通过上述的方法制备。