[发明专利]MWT太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201310213029.3 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103258914A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 陈迎乐;赵文超;王建明;王子谦;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mwt 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
通过激光去除MWT太阳能电池基底背面的指定区域的减反膜,形成无减反膜区域;
将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗,去除无减反膜区域的背场、激光损伤和过料孔内损伤。
2.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗的步骤中,强碱性溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液,氢氧化钾溶液的浓度为5%至50%,氢氧化钠溶液的浓度为5%至50%。
3.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述通过激光去除MWT太阳能电池基底背面的指定区域的减反膜,形成无减反膜区域的步骤之前还包括以下步骤:
对MWT太阳能电池基底进行清洗、制绒、扩散发射极、扩散背场、边缘绝缘处理;
在MWT太阳能电池基底上下表面形成减反膜;
在MWT太阳能电池基底的指定位置打过料孔。
4.根据权利要求3所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述对MWT太阳能电池基底进行清洗、制绒、扩散发射极、扩散背场、边缘刻蚀处理的步骤中,扩散发射极是在MWT太阳能电池基底的正面进行的。
5.根据权利要求3所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在MWT太阳能电池基底指定位置打过料孔的步骤中,过料孔的直径为50μm至500μm。
6.根据权利要求2所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述将MWT太阳能电池基底放入强碱性溶液中清洗的步骤中,5%至50%浓度的氢氧化钾溶液或5%至50%浓度的氢氧化钠溶液的温度为30摄氏度至80摄氏度,MWT太阳能电池的清洗时间为30s至300s。
7.根据权利要求6所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,氢氧化钾溶液的浓度为30%,温度为80摄氏度,清洗时间为60s。
8.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述去除无减反膜区域的背场、激光损伤和过料孔内损伤的步骤之后还包括:将MWT太阳能电池基底放入水溶液中进行清洗,清洗时间大于1min。
9.根据权利要求8所述的MWT太阳能电池制备方法,其特征在于,所述将MWT太阳能电池基底放入水溶液中进行清洗的步骤之后还包括以下步骤:
在MWT太阳能电池基底背面印刷过孔浆料,并烘干;
在MWT太阳能电池基底背面印刷背面栅线,并烘干;
在MWT太阳能电池基底正面印刷正面栅线,并烘干;
对MWT太阳能电池基底进行烧结处理。
10.一种MWT太阳能电池,其特征在于,所述MWT太阳能电池通过权利要求1至9中任一项所述的方法制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利集团有限公司,未经英利集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310213029.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的