[发明专利]一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法在审
| 申请号： | 201310208368.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103258854A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军;李伟;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 及其 体区接出 设计 方法 | ||
1.一种沟槽MOS，其特征在于，包括金属板以及金属板下面的体区，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述金属板划分为栅极金属板、源金属板、体区电极金属板。
2. 根据权力要求1所述的一种把沟槽MOS，其特征在于，所述沟槽型MOS的源极位于衬底的背面，所述体区底部设置有用于形成欧姆接触的掺杂埋层。
3. 一种把沟槽MOS 的体区接出的设计方法，其特征在于，包括如下设计步骤:
（1）缩小源区的面积，形成新的源区表面，留出体区接出面；
（2）确定体区的接出面积；
（3）在体区的接出面上增加体区接触孔；
（4）在体接触孔上连接体接触金属。
4. 根据权力要求3所述的一种把沟槽MOS的体区接出的设计方法，其特征在于，源区位于体区接出面的上方，且与体区接出面相接。
5. 根据权力要求3所述的一种把沟槽MOS 的体区接出的设计方法，其特征在于，在缩小源区的面积后形成的源区表面上设置有源区接触孔，体区接触孔与源区接触孔相互独立的位于体区表面上和源区接出面上。
6. 根据权力要求3所述的一种把沟槽MOS 的体区接出的设计方法，其特征在于，所述金属层分为栅极金属板和源金属板，栅极金属板与源金属板相互独立，体区电极金属板的独立是用于体区单独施加电压、实现对体区的电调。
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