[发明专利]一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法。

背景技术

一般的沟槽MOS 设计结构如图1和图2，图1为金属层下面的结构，图2显示的金属层只被分成两块，分别是栅极金属板和源金属板。从图1可以看到，源区和体区是由源区接触孔链接在一起，并由源金属板引出的。这是一般的沟槽工艺的设计结构。由于一般的沟槽MOS的源区和体区是连接在一起，体区不能单独施加电压，没法实现单独的电调效应。

    现有技术能实现MOS的功能，但是由于源区和体区连接在一起，没法实现体区的单独施压，没法实现对体区的电调效应,迫切需要科研人员研制出一种可以实现体区的单独施压功能，实现对体区的电调的设计方法。

发明内容

本发明的目的在于解决技术背景的缺陷，设计一种可以实现体区的单独施压功能，实现对体区的电调的设计方法。

为此，本发明采用以下技术方案：

一种沟槽MOS，包括金属板以及金属板下面的体区，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区上；所述金属板划分为栅极金属板、源区金属板、体区电极金属板。

所述沟槽型MOS的源极位于衬底的背面，所述体区底部设置有用于形成欧姆接触的掺杂埋层。

一种把沟槽MOS 的体区接出的设计方法， 包括如下设计步骤:

（1）缩小源区的面积，形成新的源区表面，留出体区接出面；

（2）确定体区的接出面积；

（3）在体区的接出面上增加体区接触孔；

（4）在金属层衬垫上增加体区电极衬垫。

源区位于体区接出面的上方，且与体区接出面相接。

在缩小源区的面积后形成的源区表面上设置有源区接触孔，体区接触孔与源区接触孔相互独立的位于源区表面上和体区接出面上。

所述金属板有栅极金属板、源区金属板和体区电极金属板，栅极金属板与源区金属板相互独立，体区电极金属板的独立是用于体区单独施加电压、实现对体区的电调。

本发明中设计的缩小源区的面积，形成新的源区表面，留出体区接出面，并对源区表面、体区接出面的接出面分别接出，对栅极栅极金属板与源区金属板相互独立的设计，实现了对体区单独施加电压，能实现电调效果，能够给体区施加不同的电压；从一定层面分析，电调效应能实现阈值电压的控制和降低导通电阻的效果。

附图说明

图1为现有技术中沟槽型MOS的体区结构图；

图2为现有技术中沟槽型MOS的衬垫结构图；

图3为本发明中的体区结构图；

图4为本发明中的衬垫结构图。

具体实施方式

本发明是在图1、图2的基础上，在不改变沟槽和栅极接触孔的基础上，通过改进达到如图3、图4的技术效果的，结合图3、图4，一种沟槽MOS，包括金属板以及金属板下面的体区1和衬垫，所述体区1上设置沟槽2、源区3、体区接出面6、源区接触孔4、体区接触孔7、栅极接触孔5，源区3、体区接出面6、栅极接触孔5依次排布，源区接触孔4设置在源区3上，体区接触孔7设置在体区接出面6上；所述衬垫划分为栅极金属板8、源区金属板9、体区电极金属板10。

所述沟槽型MOS的源极位于衬底的背面，所述体区1底部设置有用于形成欧姆接触的掺杂埋层。

一种把沟槽MOS 的体区接出的设计方法， 包括如下设计步骤:

（1）缩小源区2的面积，形成新的源区2表面，留出体区接出面6；

（2）确定体区1的接出面积；

（3）在体区接出面6上增加体区接触孔7；

（4）接出金属板增加体区电极金属板10。

源区3位于体区接出面6的上方，且与体区接出面6相接。

在缩小源区3的面积后形成的源区表面上设置有源区接触孔4，体区接触孔7与源区接触孔4相互独立的位于源区表面上和体区接出面6上。

所述金属板上还设有栅极金属板8和源金属板9，栅极金属板8与源金属板9相互独立于，体区电极金属板10的独立是用于体区1单独施加电压、实现对体区1的电调。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。