[发明专利]改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光半导体的封装技术。 

背景技术

现有的大功率LED发光器件的封装方式参见图1所示的方案。LED芯片7通过银胶6固定在支架4的芯片槽5内。引线1将LED芯片的电极与支架上的电极导线3连接在一起。LED芯片通过封胶固定在芯片槽内。这种LED器件在工作的时候芯片内部的结温会超过100摄氏度，灯腔内的温度也在70～90摄氏度。芯片槽内的封胶以环氧树脂材料为例，引线为金线的情况下，环氧树脂在几十度的温差下会产生较为明显的热胀冷缩，金线的膨胀系数仅为其五分之一以下，相比环氧树脂并不明显。如图1所示的示意图，虚线为热膨胀后的情况，由于封胶内部应力作用，封胶会表现出鼓起状，形成升温后封胶顶部2，变形后的封胶会带动引线1的上部发生偏移，即造成引线被拉长，升温后引线1’拉长后会产生延展长度L。发生这种现象的原因，是因为封胶与金线的膨胀系数相差巨大造成的。 

LED是可以频繁开关的器件。在频繁的开关过程中，金线的这种拉伸会频繁进行。对金线短期的拉伸，金线会将拉力传导到其两端的焊接处，对焊接处造成拉扯效应，这给焊点造成脱焊的风险，也会造成焊点处电阻增大。如果LED常亮，金线所受的拉伸力持续进行，则会造成金线局部发生永久性形变，即变细。金线变细会导致金线上各处电阻差异明显，在变瘦处，电阻增大，发热增多。金线本身具有一定的导热功能，上述情况会增加金线的导热负担，降低芯片向外导热的能力，严重的情况会造成断线死灯。金线承受的封胶应力以及可能发生的偏移在一次封装的过程中同样存在。由于一次封装的温度较器件出厂 使用时的温度更高(一般封装温度为150～180摄氏度)，金线以及其焊接部位产生故障的几率也比较高。 

在将LED芯片进行固晶的时候，需要用到银胶。银胶为导体，其点胶时的用量需要非常精确。过多的银胶会堆砌在芯片周围，造成芯片短路或漏电；过少的银胶量又可能导致固晶不牢。由于芯片涂敷银胶的面非常小，因此银胶的量的把握和位置的涂敷经常会出现差错，在量足的情况下，点胶位置不精准也会由于银胶分布不均造成短路或漏电问题。 

除此以外，银胶中的银粉会吸收光。在芯片槽内漫反射的光线会被银胶吸收，且银胶用量越多，吸收的光线会越明显，因此无论银胶中的提高银的含量还是增加银胶的用量都会导致芯片槽内的光线被吸收，进而造成光损，降低出光率。 

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种LED封装器件，用于提高出光率，改善器件的性能。 

本发明所要解决的第二个技术问题是提供一种LED封装器件的制造方法，用于提高出光率，改善器件的性能。 

为了解决上述第一个技术问题，本发明提出一种改善发光效率的半导体发光器件，包括LED芯片和支架，LED芯片通过银胶固定在支架的芯片槽内；支架上设有电极导线，LED芯片通过引线与电极导线电连接； 

所述LED芯片固定在一分压片的上面，分压片通过其下面的银胶固定在芯片槽内； 

所述分压片包括底部和连接在底部上的引线抬升部；引线抬升部由底部向上呈一定的倾角，在引线抬升部的上端设有用于固定引线的焊位，引线将焊位与所述电极导线电连接在一起，在底部或引线抬升部的下端设有一级引线焊位，所述焊位与一级引线焊位通过导线连接，在一级引线焊位与LED芯片的电极通 过一级引线电连接；所述底部包括用于给LED芯片传热的固晶区和光处理区，固晶区位于光处理区的中间，固晶区的固晶表面为平面，光处理区相对固晶区呈向上的倾角，LED芯片固定在固晶区上；所述底部的下面为固定分压片和支架的银胶；在所述底部的边缘设有弯折挡板，弯折挡板通过弯折部位与底部的边缘连接，该弯折挡板将光处理区下方的倾斜空间与外面隔断，使银胶围被在一组弯折挡板中间； 

所述LED芯片为倒装芯片，其包括倒装基板上非焊接区的表面涂敷有RGB荧光粉层；在光处理区的表面涂敷有RGB荧光粉层，在该RGB荧光粉层的下面的层结构中包括单基色荧光粉层，在单基色荧光粉层的下面的层结构中包括反射层。 

优选地：所述底部的轮廓的平面投影结构为正多边形，且正多边形的边数为不少于四边的多边形。可以为四边形、五边形、六边形、七边形和八边形等等多边形。多边形结构比较利于制作弯折挡板，且在弯折挡板弯折后，弯折部位形成较小的缝隙，但本发明的此处结构不限于正多边形结构，也可以呈圆形，圆形有利于光处理区的平均反射效果。