[发明专利]改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种改善发光效率的半导体发光器件，包括LED芯片和支架，LED芯片通过银胶固定在支架的芯片槽内；支架上设有电极导线，LED芯片通过引线与电极导线电连接；其特征在于：

所述LED芯片固定在一分压片的上面，分压片通过其下面的银胶固定在芯片槽内；

所述分压片包括底部和连接在底部上的引线抬升部；引线抬升部由底部向上呈一定的倾角，在引线抬升部的上端设有用于固定引线的焊位，引线将焊位与所述电极导线电连接在一起，在底部或引线抬升部的下端设有一级引线焊位，所述焊位与一级引线焊位通过导线连接，在一级引线焊位与LED芯片的电极通过一级引线电连接；所述底部包括用于给LED芯片传热的固晶区和光处理区，固晶区位于光处理区的中间，固晶区的固晶表面为平面，光处理区相对固晶区呈向上的倾角，LED芯片固定在固晶区上；所述底部的下面为固定分压片和支架的银胶；在所述底部的边缘设有弯折挡板，弯折挡板通过弯折部位与底部的边缘连接，该弯折挡板将光处理区下方的倾斜空间与外面隔断，使银胶围被在一组弯折挡板中间；

所述LED芯片为倒装芯片，其包括倒装基板上非焊接区的表面涂敷有RGB荧光粉层；在光处理区的表面涂敷有RGB荧光粉层，在该RGB荧光粉层的下面的层结构中包括单基色荧光粉层，在单基色荧光粉层的下面的层结构中包括反射层。

2.根据权利要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：所述底部的轮廓的平面投影结构为正多边形，且正多边形的边数为不少于四边的多边形。

3.根据权利要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：所述LED芯片为经过倒装的蓝宝石衬底芯片，且蓝宝石衬底为PSS衬底。

4.根据权利要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：在LED芯片上设有用于反射紫外线的增反膜玻片。

5.根据权利要求4所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：在所述光处理区上设有用于支撑所述增反膜玻片的载玻台。

6.根据权利要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：所述光处理区的高度与所述LED芯片与或增反膜的顶部位置等高。

7.根据权利要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：在所述倒装基板与所述倒装基板表面涂层之间设有反射镜；或者所述弯折挡板的外侧表面为反射面。

8.根据权利要求要求1所述改善发光效率的半导体发光器件，其特征在于：所述引线抬升部的表面为单基色荧光粉层包裹，在单基色荧光粉层下面设有反射层，该反射层与引线抬升部上的电路之间绝缘。

9.一种制造权利要求1所述半导体发光器件的制造方法，其包括以下步骤：将经过倒装的LED芯片通过共晶焊固定在分压片的底部；

用一级引线将LED芯片的电极与分压片上的一级引线焊位连接在一起；

在分压片的底部的下面涂敷银胶，然后将分压片和LED芯片置于芯片槽内固化处理；

弯折弯折挡板使其将光处理区下方的倾斜空间与外面隔断，使银胶围被在一组弯折挡板中间；

将引线焊接在焊位与电极导线之间；

然后对芯片槽内的部件进行封装处理。